Патент ссср 418921

 

О П И С А Н И Е 418921

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиъ

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. Н 01/ 7, 32

Заявлено 15.12.71 (№ 1725073/26-25) с присоединением заявки ¹ 1732542/26-25

Приоритет

Опубликовано 05.03.74. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 20.08.74

Гасударственный комитет

Саввта Министров СССР па деяам изобретений . и открытий

УДК 621.382.002 (088.8) Лвторы изобретения

В!: 7:

Г. А. Юрлова и T. М. Касаткина

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДОВ

МЕДИ

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения многоэлементных переключателей на основе ха Ib:когенидов меди.

Синтезированные сплавлением в вакууме полупроводниковые халько гениды меди представляют cîáîé слитки или куски длиной в несколько сантиметров. Из них получают изделия заданной конфигурации механической, а затем химической обрабо кой для стравливания на рушенного поверхностного слоя. Недостаток этого способа — большие потери материала.

Многоэлементные структуры получают в результате проведения трудоемкого технологического процесса, включающего такие операции, как фотолитография.

Цель изобретения — упрощения способа и повышение качества получаемых приборов.

Сущность изобретения заключается в проведении реактивной диффузии меди из медной заготовки заданной конфигурации через плоскую мембрану из халькогенида меди и последующем взаимодействии меди с парообразным халькогеном, пропускаемым над мембраной.

Для получения изделий заданной конфигурации из халькогенидов .меди в графитовую кассету помешают медную заготовку, конфигурация которой соответствует зада»шой, а сверху накладывают мембрану (пластпнку халькогенида мели того же химического состава меди, что и взанмодейспвуюшнс компоненты).

Кассета может закрываться .крышкой, имеющей сквозной рисунок,,совпадающий с ко»фигурацней медных заготовок. Собранная кассета помещается в реакционную aìåiðó с дву10 мя тем пературными зонами.

Зона, в которой находится кассета, нагревается до температуры образования хнмичсского соединения теллу рида мсдп по перитектпческой реBIKLi»H, а другая зона, в которую вво15 дят навеску теллура, нагревается до температуры его плавления. При,п ропускании паров теллура над нагретой кассетой происходит реактивная диффузия меди из медной загото вки через пластину теллурида меди и послсдую20 щее .взаимодсйствис с парообразным тсллуром.

В случае использования крышки, имеющей сквозной рисунок, и проведения реакции в течение времени, мсльшего, чем необходимо для

25 полной диффузии меди через пластину теллурида меди, по I",;çài»iåé мере на одну треть, получают многоэлеменT»óþ структуру заданной конфигурации на общем основании.

При прсведе.»»> процесса в течение времс30 ни, достаточного для днффундирования всей

418921

Предмет изобретения

Составитель Г. Корнилова

Техред Е, Борисова Корректор Л. Чуркина

Редактор Т. Орловская

Заказ 1771/18 Изд. № 551 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 взятой меди, сцепление между образовавшимся фигурным изделием из халыкогенида меди и фильтрующей мембраной резко ослабевает, и они легко разъединяются.

1. Способ,получения изделий из халыкогенидов меди, на пример теллурида меди, заданной конфигу рации,путем химического взаимодействия входящих в состав компонентов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью .повышения качества изделия и у прощения способа, над пластиной меди с:конфигурацией изделия размещают мембрану из халыкогенида меди получаемого химического состава, над ней пропускают парообразный халыкоген и одновременно нагревают систему для осуществления диффузии меди через мембрану.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью обеопечения отделения изделия от мембраны, систему нагревают в течение времени, достаточного для полной диффузии меди через .мембрану.

Т0 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементной монолитной структуры, систему напревают в течение времени, меньшего времени, необходимого для полной диффузии меди через мем15 брану, по крайней мере, на одну треть.

Приоритет по п. 3 исчислять с 03.01.1972 г.

Патент ссср 418921 Патент ссср 418921 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора
Наверх