Матрица запоминающего устройства

 

427378

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Н АВТОРСКОМ СВИДВтЕЛЬСта (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 28.06.71 (21) 1675918/18-24 (51) М. Кл. G 11с 11, 00 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Свввта Министров СССР ва делен изобретений и открытий (32) Приоритет—

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень Ме 17

Дата опубликования описания 10.12.74 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

К. Г. Самофалов, Я. В. Мартынюк и Т. В. Груц

Киевский ордена Ленина политехнический институт имени 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Известны матрицы запоминающих устройств, содержащие акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соеди н ен ы м ежду со бой. 5

Недостатком конструкции подобных матриц является высокий уровень помех при считывании информации, который определяется тем, что образованные пересечениями числовых, разрядных и экранирующих шин-элек- 10 тродов многоразрядные пьезотрансформаторные ячейки памяти акустически связаны между собой, Эта связь определена тем, что пьезокерамические пластины секций пьезотрансформаторных ячеек памяти являются общими 15 для всех ячеек. Вследствие этого сплошные пластины — благоприятная среда для распространения различных паразнтных упругих деформаций. Кроме того, большая величина диэлектрической проницаемости пьезокерамиче- 20 ских материалов обусловливает большие паразитные емкостные связи между ячейками и между разрядными и адресными шинами. В целом это ухудшает параметры ЗУ, построенных на основе пьезотрансформаторов, и тре- 25 бует увеличения геометрических размеров матрицы и усложнения формы электродов с целью ослабления паразитных емкостных и акустических связей, Кроме того, автоматизация процесса сборки известных матриц трудна, так как контактные площадки, к которым присоединяют выводы, расположены на различных поверхностях конструкции.

Целью изобретения является повышение помехозащищенности матрицы и улучшение технологичности ее изготовления.

Поставленная цель достигается тем, что матрица ЗУ содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в той же плоскости, что и разрядные электроды, а экранирующий и общий электродt.l каждой ячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительным электродам.

На чертеже показана матрица с тремя трехразрядными ячейками, Матрица состоит из многоразрядных ячеек памяти 1, число и разрядность которых определяется объемом ЗУ. Матрица помещена з акустически вязкую среду с малой диэлектрической проницаемостью. Ячейки памяти представляют собой многослойную конструкцию, в которую объединены пьезокерамические пластины 2. Эти пластины объединены в акустически монолитную конструкцию по экранирующему электроду 8. На одной поверхности ячейки памяти расположены разрядные электроды 4, а на противоположной поверхности — общий электрод 5, Экранирующий и общий электроды соединены по торцам с до427378 полнптельными электродами б и 7, которые расположены в той же плоскости, что и разрядные электроды. К электродам б и 7 присоединены выводы 8 и 9. Разрядные электроды ячеек памяти соответствующих разрядов соединены между собой проводящими разрядными шинами 10.

В предложенной конструкции промежутки между пьезотрансформаторпыми ячейками заполнены акустически вязким компаундом с малой диэлектрической проницаемостью.

Матрица работает следующим образом.

Пьезокерамические пластины 2, которые расположены между экранирующим 8 и общим 5 электродами, поляризованы жестко при изготовлении матрицы, а участки пьезокерамики пластин между экранирующим 8 и разрядными 4 электродами поляризуются при записи информации. Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию. Записывать информацию в предлагаемую матрицу путем приложения соответствующих напряжений к разрядным и экранирующим электродам можно как на входе (управление поляризацией секции возбуждения), так и на выходе пьезотрансформатора (управление поляризацией генераторной секции). Таким образом, разрядные электроды могут быть как входными, так и выходными.

Если информация записывается на выходе, то считывание информации осуществляется путем подачи импульса напряжения на общий электрод 5 (при этом экранирующий электрод 8 подключен к общей точке устройства). Этот импульс вызывает импульсную деформацию пластины 2 между общим и экранирующим электродами и одновременно с этим импульсную деформацию участков пьезокерамики между экранирующим 8 и разрядными 4 электродами, При этом на разрядных

5 шинах 10 появляются импульсные напряжения, полярность которых определяется поляризацией пьезокерамики под соответствующими разрядными электродами, т. е. записанной информацией.

10 Если информация записывается на входе пьезотрансформаторов, то считывание осуществляется путем приложения импульса напряжения к разрядным электродам 4. В результате на общих электродах 5 появляются импульсы напряжения, полярность которых определяется деформацией участков пьезокерамики под разрядными электродами, т. е. поляризацией этих участков. Сигналы на общих электродах соответствуют ранее запи20 санной и хранимой устройством информации.

Предмет изобретения

Матрица запоминающего устройства, содержащая акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соединены между собой, отличающаяся тем, ччо, с целью

IIoIIbIIlIeHHH помехозащищенности матрицы и

30 улучшения технологичности ее изготовления, она содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в той же плоскости, что и разрядные электроды, а

35 экранирующий и общий электроды каждой ячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительным электродам.

Редактор Д. Утехина

Составитель В. Рудаков

Техред Е. Борисова

Корректор В. Гутман

Заказ 1676/535 Изд. № 817 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»