С использованием сегнетоэлектрических элементов (G11C11/22)

G   Физика(403185)
G11C     Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)
G11C11/22                     С использованием сегнетоэлектрических элементов(69)

Сегнетоэлектрический элемент памяти и сумматор // 2668716
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании надежного сегнетоэлектрического элемента памяти с дискретным набором возможных состояний числом больше двух.

Методы неразрушаемого считывания информации с ферроэлектрических элементов памяти // 2383945
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах компьютеров различного назначения, в создании видеоаудиоаппаратуры нового поколения, в разработке систем ассоциативных запоминающих устройств, создании банков данных с прямым доступом.

Бимодальный режим функционирования ферроэлектрических и электретных ячеек памяти и запоминающих устройств на их основе // 2329553
Изобретение относится к способу адресации к ферроэлектрической или электретной ячейке памяти путем выполнения операции считывания из ячейки или записи в нее. .

Способ управления запоминающим устройством с подачей компенсационных импульсов до и после помехи // 2326456
Изобретение относится к способу управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством, использующим пассивную матричную адресацию. .

Способ изготовления ячейки памяти в ферроэлектрическом запоминающем устройстве и ферроэлектрическое запоминающее устройство // 2281567
Изобретение относится к способу изготовления ферроэлектрических ячеек памяти и к ферроэлектрическому запоминающему устройству. .

Способы сохранения данных в энергонезависимых запоминающих устройствах // 2278426
Изобретение относится к способам сохранения данных в энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольной выборкой. .

Устройство с пассивной матричной адресацией и способ считывания информации из этого устройства // 2275698
Изобретение относится к способу считывания информации из устройства с пассивной матричной адресацией и может быть применено в сенсорных устройствах с индивидуально адресуемыми ячейками на основе поляризуемого материала.

Трехмерное запоминающее устройство // 2274913
Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству.

Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур // 2269830
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. .

Ферроэлектрический запоминающий контур и способ его изготовления // 2259605
Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. .

Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа // 2250518
Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал.

Энергонезависимая пассивная матрица, способ считывания из подобной матрицы и устройство трехмерного хранения данных // 2245584
Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти. .

Адресация матричной памяти // 2239889
Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал.

Способ выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией и устройство для осуществления этого способа // 2239888
Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа.

Сегнетоэлектрическое устройство обработки данных // 2184400
Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией. .

Способ создания трехмерной оптической памяти // 2143752
Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде. .

Запоминающее устройство // 1619343
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к пьезокерамическим запоминающим устройствам , и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах . .

Способ обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации // 1557587
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. .

Способ смещения доменной границы в сегнетоэлектрическом носителе информации // 1552230
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в сегнетоэлектрических накопителях информации. .

Запоминающее устройство // 1536441
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к пьезокерамическим запоминающим устройствам, и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах. .

Устройство для считывания информации с биморфного пьезокерамического накопителя // 1522287
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах. .

Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1348907
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. .

Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации // 1309084
Изобретение относится к вычис, 1ительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. .

Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1283853
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин. .
 
.
Наверх