С использованием сегнетоэлектрических элементов (G11C11/22)
G11C11/22 С использованием сегнетоэлектрических элементов(69)
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании надежного сегнетоэлектрического элемента памяти с дискретным набором возможных состояний числом больше двух.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах компьютеров различного назначения, в создании видеоаудиоаппаратуры нового поколения, в разработке систем ассоциативных запоминающих устройств, создании банков данных с прямым доступом.
Изобретение относится к способу адресации к ферроэлектрической или электретной ячейке памяти путем выполнения операции считывания из ячейки или записи в нее. .
Изобретение относится к способу управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством, использующим пассивную матричную адресацию. .
Изобретение относится к способу изготовления ферроэлектрических ячеек памяти и к ферроэлектрическому запоминающему устройству. .
Изобретение относится к способам сохранения данных в энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольной выборкой. .
Изобретение относится к устройству объемного хранения данных. .
Изобретение относится к способу считывания информации из устройства с пассивной матричной адресацией и может быть применено в сенсорных устройствах с индивидуально адресуемыми ячейками на основе поляризуемого материала.
Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству.
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. .
Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. .
Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал.
Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти. .
Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал.
Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа.
Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией. .
Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде. .
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к пьезокерамическим запоминающим устройствам , и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах . .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в сегнетоэлектрических накопителях информации. .
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к пьезокерамическим запоминающим устройствам, и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. .
Изобретение относится к вычис, 1ительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин. .