Способ окисления кремния

 

Союз Советских

Социалисти нескин

Республик

«i>427426

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 26.07.72 (21) 1813765/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень № 17

Дата опублико вания описания 17.01.75 (51) И. К.. H 0117, 00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ле делам изобретений и отирытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения В. 3. Анохин, В. Л. Гордин, И, К. Маршаков, И. Я. Миттова и Я. А. Угай (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ

15

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии производства,полупроводниковых приборов, в частности .кремниевых интегральных схем.

Оно может быть применено для изготовления легирующих окисных пленок на кремнии, при создании полевых приборов с изолированным затвором и т. д, Известен способ окисления кремния в открытой системе на воздухе в присутствии окиси свинца при температуре 725 С. Увеличение температуры до 800 С и выше не ускоряет процесса роста окисной пленки.

Предлагаемый способ отличается тем, что в окислительную среду водят пары соединений элементов ПIа группы, например хлоридов галлия и индия. Это ускоряет процесс.

Окисление проводят в реакторе, аналогичном тому, который применяется при известном способе. В качестве окислительной среды используют смесь сухого и влажного .кислорода.

Пример. Кремниевые пластины помешают в кварцевую трубу с двумя газовыми вводами. Один служит для подачи увлажненного кислорода непосредственно в зону окисления кремния, другой — для ввода сухого кислорода, транспортирующего пары хлоридов галлия и индия к окисляемой поверхности.

Трубу помещают в двухзонную печь так, что5 бы лодочка с хлоридом, расположенная в непосредственной близости от ввода сухого кислорода, нагревалась до 750 — 800 С, а окпсляемые пластины — до 1050 — 1150 С.

Скорость роста окисных пленок на кремнии увеличивается в присутствии хлорпдов галлия и индия примерно в 2 раза по сравнению с окислением в увлажненном кислороде и в 1,7 раза по сравнению с окислением известным способом.

Способ окисления кремния, предусматривающий введение соединений примесных элементов в оиислительну1о среду, от гичающггг1ся тем, что, с целью повышения скорости окисления, в окислительную среду вводят пары соединений элементов IIIa группы,,например хлорида галлия и индия.

Способ окисления кремния 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи
Наверх