Полупроводниковый прибор

 

(61) Лополннтельное к авт, саид-ву (22) Заявлено 21.06.72 (21)1799546/26-2

2 (51) М. Кл.

Н 01 1 31/00 с присоединением заявки ¹ (23) Г1риоритет (43) Опубликовано05.12 ° 77, Бюллетень №4(45) Дата îIIóáëèíовання описания 20.12.77

Гооидаротоеиио|й комитет

Соаата Мкикстроа СССР оо делан кэобретеией и открытии (53) УДК 621.382,3 (088.8) (72) Авторы изобретения

О. В. Сеношенко и 10. Е. > "1ярончук (71) Заявитель

Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (5 4) I Ю/1У11РОВОДН И КОИЫ ki ПРИБОР

На чертеже изображен предлагаемый прибор, который состоит из ссновной пластины 1, выполненной из широкозонного полупроводникового материала, например арсенида, галлия, областей 2-5 истока и стоИзобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов полевого типа, использующих режим инверсии, и может найти широкое применение в микроэлектронике.

Известны полевые приборы с испо>п с>сованием инверсии, Однако в таких приборах мала крутизна зависимости тока истока от потенциала полевого электрода.

Для увеличения крутизны вольтямперной характеристики в предлагаемом приборе основная пластина выполнена из широкозонного материала, а области контактов состоят из двух частей разного типа проводимости одинаковой ширины запрещенной зоны, образуя электролюминесцентный р-а-переход, излучающий свет, который поглощается каналом. кя с выводами, выполненными из полупроводникового материала с прямыми зонами.

Тип проводимости областей 2-3 совпадает с типом проводимости материала основной пластины 1 > я тип проводимости областей 4-5 противоположен ему. Области 2 и 4 и 3 и 5 образуют истоковый и стоковый (соответственно) электролюминесцентные р-т -переходы, На пластину 1 няне= сен слой диэлектрика 6, сверху которого расположен полевой электрод 7 из металла или легированного полупроводника; контактная область 8 с выводом 9 к пластине

1 имеет одинаковый с ней тип проводимости. Прибор включает выводы 10, 11 и 12, соответственно истока, стока и затвора.

Прибор работает следуюшим образом.

При протекании тока через р — тт -переход (величина тока может изменяться в зависимости от разности потенциалов между выводами 9 и 12 ипи 10 и 12) происходит излучение света, который поглощается пластиной 1. Рождающиеся при поглощении неосновные носители заряда диффунди25 руют и дрейфуют в области пластины 1, образуя (при соответствующей разности потенФ 1 циалов между полевым электродом и истоком или стоком) проводящий канал на поверхности пластины 1 вблизи диэлектрика 6.

При достижении некоторой: критической величины тока через р - И -переход (например 2-4) увеличение тока приводит к

его лавинообразному нарастанию вследствие онтическэй положительной обратной 10 сВязи между проводимостью канала истоксток 4-5 и током (следовательно и светимостью) р - p -перехода. Величина критического тока р — И -перехода зависит также от потенциала полевого электрода 7, что обуславливает высокие значения крутизны вольтамперной характеристики прибора в указанном режиме.

Формула изобретения

Полупроводниковый прибор, состоящий из основной пластины с областями истока и стока, нанесенного на пластину диэлектрика, сверху которого расположен полевой электрод, и выводов для управления прибором, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с цепью увеличения крутизны вопьтамперной характеристики, области истока и стока выполнены в виде электролюминесцентных р-iрпер ходов.

Составитель В. Кремлев

Редактор И. Шубина Texpen H. Андрейчук Корректор Е. Папп

Заказ 4739/10 Тираж 976 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4