Фоторезистор

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П И С А Н И Е 1»434488

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

-Ф

1 /l (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 04.08.72 (21) 1816616/26-25 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет— (51) М,Ь,л. Н 01с 7/ОЬ

Н 01! 15/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изаоретений и открытий

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень № 21 (5ч) удК 621 д82 (OSS S) г

Дата опубликования описания 24.04.75! 72) Авторы

ИЗОО РЕГСН1IЯ

И. И. Бойко, В. К. Малютенко н Г. И. Тесленко (71) Заявитель

Инст11тут полупроводников АН Украинской ССР (54) ФОТОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлекгрическим приборам и может использоваться в лазерной технике.

Известен фоторезистор, представляющий соООЙ 11ОЛУIIPoB03IIEII(oB) ю н IBcTHEIKv с тол1ци- 5

IloII, сравнимой с диффузионной длиной носителей, обработанную с целью получения минимальной скорости поверхностной рекомбинации на всех гранях и снабженнуlo двумя

Омическимн контактами. 10

Однако постоя1гная времени такого фоторсзистора не регулируется, так как она определяегся технологическими условиями;1зготовления (концентрацией рекомбинацнонных центров в объеме кристалла и качеством обра15 ботки поверхности). Поэтому, например, для приема сигналов, различающихся по частоте следования или длительности, необходимо иметь набор фоторезисторов с различ 1ыми Ilo2о стоянпыми времени.

Целью предлагаемого изобрете1ьия является регулирование постояш1ой времени (инерционности) фоторезистора.

Это достигается тем, что предлагаемый фоторезистор выполнен на основе пластины, изготовленной из полупроводника с биполярной фотоироводимостью, помещенной в скрещенные элекгрическое и магнитное поля, вторая

1пирокая грань которой имеет максимально возможную скорость поверхностной рекомбинации.

На чертеже показан предлагаемый фоторезистор.

Пластину 1 помещают в магнит::ое и электрическое поля так, чтобы направления магнитных силовых линий 2, полного электрического тока 3 и потока сильно поглощаемого излучения 4 составляли между собой углы, равные или близкие 90, излучение направляют на широкую грань (на чертеже позиция

5 — омические контакты).

При включении фоторезистора в электрическую цепь на неравновесные носители, генерированные светом на грани приемника с мало : скоростью поверхностной рекомбинации. действует сила Лоренца Р=е11 (Е Х И) (где О— напряженность магнитного поля, u — подвижность носителей, Š— напряженность электрического поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх носителей к задней грани с большой скоростью поверхEIocTHoé рекомбинации, либо повышенную концентрацию их у освещенной грани = малой скоростью поверхностной рекомб1ьн»ции.

Если под действием силы Лоре;.1ца носнтел::; дрейфуют к грани с большой скоростью по434488

Предмет нзооретсния

Сосгавитель Г. Тесленко

Техред Н. Куклина Корректор А, Дзесов»

Редактор Е. Караулова

Тираж 760

Изд. ¹ 1958

Подииспос

Зак1з .32

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, ih-35, Раушская наб., д. 1/5

Обл. тип Костромского управления издательств, полиграфии и книжной тор1 овли

Верхносl но11 рекомоинацин, то Врем51 жизни их, а следовательно, и постоянная времени фоторезистора, определяется временем дрейфа электронно-дырочных пар к этой поверхности и спадает с ростом напряженности электрического и магнитного полей.

При противоположном направлении полного электрического тока неравновесные пары концентрируются вблизи оовещаемой грани с малой скоростью поверхностной рекомбинации, в результате вклад в рекомбинацию от задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации уменьшается, а постоянная времени фоторезистора возрастает с ростом Е и

Н и практически до объемного времени iIII3IIII но:сителей.

Преимуществом предлагаемого фоторезистора является то, что исходную постоянную времени его можно увеличивать и уменьшать обратимо в широких пределах путем изменения величины и направления электрического и маг,1итного полей.

Б результате такой регулировки возможно использование одного фоторезистора вместо набора их для регистрации сигналов различной частоты; возможно использование фоточувствительных чистых полупроводников без намеренного легирования с одновременным сохранением большой скорости рассасывания неравновесных носителей заряда, свойственной примесным полупроводникам; расширяются функциональные возможности фотоприемника (например, выполнение операций селективной регистрации импульсов и их интегрирования) .

Фоторезистор на основе нолу11роводниковой нластипы с толщиной, сравнимой с диффу15 зионной длиной носителей, снабженной двумя омическими контактами, одна из широких граней которой имеет минимально возможную скорость поверхностной ре комбинации, отличаюшийся тем, что, с целью регулирова20 ния постоянной времени фоторезистора, он выполнен на основе пластины, изготовленной нз полупроводника с биполярной фотопроводимостью, помещенной в скрещенные электрическое и магнитное поля, вторая ш ирокая

25 грань которой имеет максима Ibiio возможную скорость поверхностной рекомбинации.