Способ измерения углов дифракции монокристаллов

 

В СЕ с ОКЗ 3 «I A2 втАТЕН библиотека А,Ь:;

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЙТЖЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалиститтеских

Республик (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.(2.72.(21) 1855094/2бс присоединением заявки ЩГосударственный наиитет

Совета Министров СССР во делак нзабретеннй и отнрытий (32) Приоритет—

Опубликовано30.08.7Фюллетень № 32

,,. Дата опубликования описания 5 2 7 (71) Заявитель (54) СП0СОВ ИааИНИЯ ЗтЛОВ

ДИФРАКЦИИ МОНОКХИСТАЛЛОВ

2 измерении по предлагаемому способу через слабо поглощающий рентгеновские лучи эталонный кристалл пропускают первичный и дифрагированный исследуемым кристаллом пучки, производят колебания эталонного кристалла и измеряют угол между

его положениями, в которых имеют место минку(умы йнтенсивности диафрагированного исследуемым кристаллом чка.

° ° чертеже приведена оптическая схема, иллюстрирующая предлагаемый способ.

Исследуемый присльлл < устанавливают в отражающее положение.

Эталонный кристалл 2, углы дифракции которого известнй с большои точностью и который слабо поглощает рентгеновские лучи, установлен таким образом, чтобы йервичный 3 и дифрагировайный 4 пучки проходили через него. Затем производят колебания эталонного кристалла 2, причем он последовательно попадает, в оттижаюшие положения по отноше— I (72) АвтоРы Э тГ тГовьев и л С @>киБ изобретения

Изобретение относится к рентгеновской дифрактометрии и может найти применение в рентгенографии для прецизионного определения периодов решетки, структурных несовершенств кристаллов и т.д.

Известен способ измерения углов дифракции монокристаллов с использованием двухкристального спектрометра путем измерения сме-. щения дифракционных максимумов эталонного и исследуемого монокристаллов для определенных кристаллографической плоскости и длины волны рентгеновского излучения.

Однако в процессе измерения известным способом необходимо последовательно сменять эталонный и исследуемый кристаллы, что требует значительных затрат времени и сни- жает надежность измерений.

Цель изобретения - повысить экспрессность и надежность измерений.

Цель достигается тем, что йрй

5 (Gt) М.Кл40Ь23!20 (53) УИК539.26 (088 83

44%487 нию к первичному 3 и ди4рагирован" в том-,"что опредбляют угловое сменому 4 исследуемым кристаллом пуч- щение дифракционных картин исследукам (соответственно положения 2а и, емого и эталонного монокристаллов, 26). 3 этих положениях регистриру- отличающийся тем, что, ющий прибор 5 фиксирует ослабление, с целью повышения экспрессности и интенсивности дифрагированного надежности измерений, через слабо цучка 4. Угол

2& - 2 G>, где & - угол дифрак- одновременно первичный и д фрагироций эталонйого кристалла 2, à Юи- 10 ванныи исследуемым монокристаллом угол дифракции исследуемогО крис- пучки, производит колебание эталон; талла Х. ного монокристалла и измеряют угол между его положениями, в которых

ПАПЕ ИЗОБИТЕНИЯ имеют место миниьумы йнтенсивности дифрагированного исследуемым моноСпособ измерения углов дифрак- — кристаллом цуцика. ции монокристаллов, заключающиися

Составитель E а КОНОНОВ

Редактор И Орлова техредН Сенина

Заказ ЗУКО Изд. ИЗф тираж бя Подписное

Ц11ИИП11 Государственного комитета Совета Министров СССР яо делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4/Х

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24