Полупостоянное запоминающее устройство

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (11) ДТ5У

Своз Соеетскнх

Соцналнстнческнх

Республнк

К АВв РРСКРМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлеифб Т2 72 (21)Т855Е82/ЕЯЯ (51) М Кл.

4 Пс Х7/ОО с присоединением заявки—

Госудлрстввнный ноннтет

Соната Мнннстров СССР но делам нзобретоннй н отнрытнй (32) Приоритет—

Опубликовано 30.08.746толлетень Ж.32 (46) Дата опубликования описания 1 5.12. 74 (53) УДК

68 I. 327. Обб(088. 8) (72) Лвторы изобретения

В.Ю.Толкачев, Н.К.Толкачева и Ю.В.Толкачев (71)Заявитель Чувашский государственный университет им.И.Н.Ульянове (5Ф) ПОЯУПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАИЩЕЕ УСТРОИ(ТВО

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники.

Известны полупостоянные запоминающие устройства, содержащие полевые транзисторы, стоки которых подключены к разрядным шинам, ис.токи - к адресным шинам.

В этих устройствах стирание за,писанных кодов осуществляют рентгеновским облучением.

Предложенное устройство отличает-, ся том, что в нвм использованы полевые транзисторы, затворы которых выполнены в виде ионотрона, причем управляющце электроды ионотронов полевых транзисторов столб-. ца подсоединены к в одной шине пвр- о вой группы, а переменные затворы транзисторов строки — к входнор

@инв второй группы.

Это позволяет улучшить эксплуа 25

2 мационные характеристики полупосто янного запоминающего устройства при перезаписи кодов.

На чертеже представлена схема полупосни нного запоминающего устройства.

Схема состоит из двух пар взаимопоресекающихся групп шин: входными шин L и 2 записи и стирания кодов и выходных шин 3 и Ф считывания кодо в пересечениях которых включены ионотронные полевыо транзисторы 5. В пересечения шин I и 2 послодователй но подключены управляющий злвктрол б, твердый электролит (на схеме но показан) и переменный затвор 7 полового транзистора. Таким образом, переменные затворы полевых транзисторов выполнены в видо ионо трона. Управляющие электроды 6 ионФ тронных полевых транзисторов столбца подсоединены к входной шине I,,а переменные затворы транзисторов

1строка - к входной шине 2, Истоки

3 полевых транзисторов подключены к адресной шине 3, а стоки транзисторов столбца - к разрядной шине

4, которые образуют выходные шины считывания.-Число шин I и 4 Опредо. ляется разрядностью запоминаемых кодов, а число шин 2 и 5 — количеством.запоминаемых кодов в устроИство.

В исходном состоянии затворы lo ионотронных полевых транзисторов

Отсутствуют, т.е. металл затвора находится на уйравляющвм электроде б. Транзисторы заперты, на них записаны нули. 15

Устройство работает следующим обр,;зом.

Для записи кодов подаются однополярныв полощительные импульсы п.раллельно на входные шины Х к управляющим электродам 6 тех ио нотронов строки, .в которых необходимо записать единицу и импульсы

Отрицательной полярности источника тока на одну из адресных входных шин 2. В выбранноИ строке ионотронов металл от управляющих злектродов переходит на подложку электрода, образуя рабочив затворы в тех половых транзисторах, в которых записываются единицы. Остальные .: ионотроны полевых транзисторов строки остаются в исходном состоянии "нуль" так как они нв получили однополярного пол©житвльного импульса, Ан,-,логично осуществляет ся запись кодов во все строки wтрицы устройства.

Считывание записанного кода в строке выполняется подачеИ

Открывающего потенциала во входную шину 2 на затворы ионотронных полевых транзисторов и считывающего электрического импульса на адресную 45 шину 3 тоИ жв строки транзисторов на их истоки. Считанный код выдается на выходйыо шины 4 со стоков полевых транзисторов выбранной строки в пар.ллельном кодо. Считы- 50

° ванив может проводиться многократно без разрушения записанного кода, так как при считывании через ионотроны половых транзистОрОБ ток нв проходит

Со временем возникает необходимость полностью или ч стично стереть

: записанный код. Тогда на входы шин Х необходимо йодать импульсы отрицатольноИ полярности, а на одну из входных шин 2- положительные импульсы электрической цепи.

В этом случае металл с пленкее затвора переходит на управляющии электрод и на ионотронных полевых транзисторах снова записываются нули. Теперь в зту строку можно записать любоИ другой код.

Предложенное устройство может выполняться в виде Оольшой интвгральноИ схемы на одном полупроводниковом кристалле. На один бит информации затрачивается один ионотронный полевои транзистор. Перез.пись информации осуществляется путом изменения полярности электрического сигнала на шинах записи и нв требует Отключения и демонтажа устройства от вычислительного уст. рОЙствае

Пве ет изоб етвния

Полупостоянйов запоминающее устройство, содержащев половыо транзисторы, стоки которых подключены к разрядным шинам, истоки- к адресным шинам, отличающееся твм, что,с целью улучшения аксплуатационных характеристик, в нвм использованы поле вью транзисторы, затворы котоpblx выполнены в виде ионотрона IlpH чвм управляющие электроды ионотронов половых транзисторов столбца подключены к входной шине первой группы, переменные затворы транзисторов строки подключены к входной шине второИ группы.

Составитель f3 . ТОЯ К 8Ч О В

Редакгор И.Гр аоВЭ Техред Л. ПатэдоВВ Тираж з.Ут Подписное

Заказ 5ф

Иэд. М

Предприятие сПатент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

ЦНИИ(1И Государственного комитета Совета Министров СССР ло д"лам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушскак наб., 4