Способ обработки кристаллических элементов кварцевых резонаторов

 

ОП ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (1 443457

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 17.01.73 (21) 1879226 26-9 с присосд!шсписм заявки J¹â€” (32) Приоритет—

Опубликовано 15.09.74. Бюллетень ¹ 34

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР пе делам изобретений и открытий (53) О,К 621.372.41 (088.8) Дата опубликования описания 12.08.75 (72) Авторы изобретен!!я

A. С. Мошковский (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при производстве пьезоэлектрических резонаторов, в полупроводниковой и оптической технике.

Известны способы обработки кристаллических элементов кварцевых резонаторов, основанные на их шлифовании и полировании с изменением частоты в процессе обработки.

Однако известные способы не позволяют обрабатывать заготовки толщиной менее 50 мкм, тем самым ограничивают предельную частоту кристаллических элементов величиной 30 — 50 мГц. Более тонкие пластины не удерживаются на колодке при шлифовании и полировании IIa станках с односторонней обработкой и в гнездах кассеты, при шлифовании и полировании па станках с двухсторонней обработкой.

С целью повышения частоты кристаллических элементов кварцевых резонаторов Ilo предлагаемому способу после окончательной обработки одной из поверхностей кристалл..— ческого этемснта наносят распылением в Bàкууме последовательно слой металла, например хрома, с высокой адгезпонной способно т1ио, металла с малым удельным электрическим сопротивлением, например слой серсора и золота, прижимают кристаллический элемент металлизированной поверхностью к плоской поверхности технологической подложки с предварительно нанесенными ця псе слоями мета7;I3 с высокой адгезпонпой cIIOсобностыо к материалу подложки металла с малым удельным электрическим сопротивлением слоя олова, нагревают полученную заготовку до температуры плавления олова, после чего шлифуют и полируют протпзоположную поверхность кристаллического элеи нта до заданной толщины, соответствую щей разностной частоте крцсталлпчес!!ого элемента.

Предлагаемый способ иллюстрируется чертежом.

Технолог!!ческая подложка 1 содержит кристаллические элементы 2, которые первоначально обрабатывают одним из известных способов, чтобы иметь одну точную окончательно обработанную плоскую поверхность.

Подложка пз кьярца илп другого материала с таким жс как у кгарця коэффициентом ли. сйцого рясшпрсппя имеет одну плоскую устаповочп)ю поверхность, обработанную по1 то пнуlo плоскость, на последней устяпявлпв я I 0 T к р и с т !l;I,л!! ч с с 1 1!с э, 1 с !1! с и T ы.

2> Крпстял Ill !сскпс э.!смен !!.! о !!!!ця!<п, напыляю I Iв ьакуумс прп разряжении

1.10 -" мм рт. ст. пя окончательно обработанную поверхность слой хрома плп титана толщиной до 0,01 мкм и слой серебра, меди

ЗО или другого металла с малым удельным со3 противлением толщиной до 0,2 мкм. Мсталлизированную поверхность кристаллически« элементов покрывают слоем золота толщиной до 0,01 мкм любым пз известны«гальвани«сски. способов.

Очищают технологическую подложку и напыля1от В IIBK i ме IIB установочн Iо поверхность слой «рома или титана толщиной до 0,01 мкм, слой меди или серебра толщиной до 0,2 мкм илп другого металла с малым удельным электрическим сопротивлением и слой олова толщиной до 1 мкм.

Кристаллические элементы устанавливают металлизированной поверхностью на металлизированную поверхность подложки, прижимают с усилием до 0,2 кг/см, помеща1от в печь, медленно нагревают до температуры, равной или выше температуры плавления олова, выдерживают в течение 10 мин и охлаждают до комнатной температуры.

Шлифуют поверхности кристаллических элементов на шлифовально-полировальном станке с припуском на полировку, а затем полируют.

Предварительный контроль толщины кристаллически«элементов производят микрометром. На этапе окончательной обработки частоту кристаллических элементов измеряют генератором с частотомером, для чего один вывод генератора подсоединяют к пленке на подложке, а другой — к электроду, который помещают на обрабатываемую поверхность контролируемого кристаллического элемента.

443457

Кристаллические элементы снимают с подложки погружением в солянуIQ кислоту.

По предлагаемому способу были изготовлены кристаллические элементы для кварцевых резонаторов а Inстоту 100 мГц по осцовпоп гармонике.

Предмет изобретения

Способ обработки кристаллических эле10 ментов кварцевых резонаторов, основанный на их шлифовании и полировании с измерением частоты в процессе обработки, отлача1о цийся тем, что, с целью повышения частоты кристаллических элементов кварцевых резо15 аторов, после окончательной обработки одной из поверхностей кристаллического элемента, на нее наносят последовательно слой металла, например хрома, с высокой адгезионной способностью, металла с малым удель20 ным электрическим сопротивлением, например слой серебра и золота, прижимают кристаллический элемент металлизированной поверхностью к плоской поверхности технологической подложки с предварительно нанесенными на нее слоями металла с высокой адгезионной способностью к материалу подложки, металла с малым удельным электрическим сопротивлением и слоя олова, нагревают полученную заготовку до температуры плавления олова, после чего шлифуют и полируют противоположную поверхность кристаллического элемента до заданной толщины, соответствующей резонансной частоте кристаллического элемента.

СOCT313IIT0 Jb А. MOllIKOBCKHH

Редактор Т. Морозова 1скред T. Курилко Корректор Л. Орлова

Заказ 2643 Изд. X 1091 Тпракк 811 Подписное

Ц1-111П1111 Государственного комитета Совета Ми истров СССР по дсла1и изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская паб., д. 4/5

МОТ, Загорский филиал