Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских о

Социалистических

Республик (11) 445928 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 05.09.72 (21) 1827343 26 25 (51) М. Кл.

С- О1 т 31/26 с присоединением заявки N

Государстеенный «омнтет

Сонета Миннстраа ИСР по делам изобретений н открытий (32) Приоритет (53) УДК

621.382.2 (088.8) Опубликовано 05.10.74 Бюллетень зле 37

Дата опубликования описания О7 О5 75 (72) Авторы изобретения

Е, Ш. Вольфсон и Е. Я. Финкельштейн (71) Заявитель Институт электроники и вычислительной техники AH Латвийской ССР (54) СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ОБРАТНОГО ТОКА

КРЕМНИЕВЫХ ДИФФУЗИОННЫХ МЕЗА-ДИОДОВ

НА ПОВЕРХНОСТНУЮ И ОБЪЕМНУЮ СОСТАВЛЯЮШИЕ где L - индуктивность;

С вЂ” барьерная емкость; б

С$= Сo- (У!

1

С З- О з C С 183

1 028 а!

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для изме рения параметров полупроводниковых приборов.

Известен способ определения величины объемной и поверхностной составляющих обратного тока германиевых транзисторов.

Этим способом невозможно измерить указанные параметры кремниевых диффузионных меза-диодов.

Сущность предложенного способа заключается в следующем. Экспериментально установлено, что объемная составляющая обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов зависит от индуктивности. !

;. и проводимости при большом прямом токе и от барьерной емкости при нулевом смешении и может быть выражена следующей формулой;, с) — проводимость, 5

Поверхностная составляющая " своди дится к определению разности полного о .— ратного тока и его объемной составляющей

Для осуществления способа измеряют полный обратный ток ьО, пропускаемый через испытуемый диод, затем при нулевом смещении измеряют фарьерную емкость С, пропускают через испытуемый диод большой прямой ток, величина кото-, рого обеспечивает измерение индуктивности и проводимости, изглеряют одновременно реактивную составляюшую проводимости, индуктивность 1 и активную составляющую проводимости g . Искомую величину объемной составляюшегг находят по установленной зависимости, а поверхностную составляющую — как !

- индуктивность;

С вЂ” барьерная емкость

3

- проводимость, где

Составитель Б.челнокова да" T Орловская Ге "е" И,КарандашовХоРРектоР Л,Орлова

Заказ . ф/

Е7Е Гираж Щ Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб,, 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24 .разность полного обратного тока и объ\ емкой составляющей (, I

Предмет изобретения ф1

Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов .на поверхностную и объемную составляк»шие путем пропускания прямого тока через исследуемый прибор, измерения пол, ного обратного тока, измерения объемной ,составляющей обратного тока и определения поверхностной .. составляющей тока как

:разности полного обратного тока и объемной срставляюшей, о тл ич а ющи и с я тем, что, с целью повышегпгя точности измерений, измеряют при,нулевом смешении барьерную емкость, измеряют индуктивность и активную составляющую проводимости и . определяют объемную составляющую тока С

5 по формуле;

1 (1" 2,8 О, Н вЂ” б — о С4 183

Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх