Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов

 

О П И ©А..Н И И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (11), 445944

Союз Советскин

Сонреакистическик

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено08. I0.7Х (21) 7704209/ с присоединением заявки (32) Приоритет

Опубликовано05Л0.74 Бюллетень № 37 (45)! Дата опубликования описания Х5, I0,7 (5l) М Кл.

Н 0I j 43/00

Гасударственный маиитет

Совета инннстров СССР ао делан нзеоретеннй и открытий

УЗ) УД1(,621.383.,292 (088.8) (72) Авторы изобретения

А.С.Черкасов, Р.P.Èáðàãèìoâ и АЛЛачин (71) Заявитель Московский институт электронного машиностроения (54) СПОСОЬ И8МЕРЕБИ ВТОРИЧНОЭМИССИОННЫХ

ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Г

Известны импульсные способы измерения вторичноэмиссионных параметров материалов с помощью импульсов первичного электронного потока, длительность и частоту которых выбирают такими, чтобы обеспечить минимальный заряд на мишени. При этом не достигается высоная точность измерения, поснольну не учитываются паразитные импульсы, на— примр третичные с ноллейтора, четверичные с мишени и т.д.

С целью увеличения точности измерений путем выделения паразитных импульсов длительность импульса первичного электронного потока выбирают меньшей, чем время пролета первичного электронного потона до мишени, выделяют во времени импульс втоичного электронного потока без паразитных импульсов ) и

Г затем вычисляют коэффициент вторичной эмиссии.

Разделение во времени импульсов

5 возможно благодаря тому, что основной импульс вторичного йотона является первым, а паразитные импульсы сдвинуты на экране осциллографичесного устройства .

Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов, ы включающий измерение параметров импульсов первичного элентронного потока и вторичного потока с мишени, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности

20 измерения, длительность импульса первичного электронного потона выбирают меньше, чем время пролета электронов до мйшени.

Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, в частности к вторично-эмиссионным умножительным системам, используемым в многоканальных фотоэлектронных умножителях

Изобретение относится к области электротехники и к электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин

Изобретение относится к электротехнике и электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях

Изобретение относится к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП) с повышенными коэффициентом усиления, отношением сигнал/шум, разрешающей способностью и может быть использовано в производстве МКП

Изобретение относится к электронной оптике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к технике генерации мощных широкополосных электромагнитных импульсов (ЭМИ) субнаносекундного диапазона длительностей и может быть использовано при разработке соответствующих генераторов
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях
Наверх