Оптоэлектронная бистабильная ячейка

 

О П И С А Н И Е (tt) 446И2

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сеоюэ Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ фф Ф -«; (61) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 26.09.72 (21) 1831471/18-24 с присоединением заявки М (32) Приоритет

Опубликовано 05.10.74. Бюллетень Хе 37

Дата опубликования описания 04.09.75 (51) М. Кл. С 11с 11/42 государственный комитет

Совееа Министров СССР по делам изобретений (53) УДК 681.327.066 (088.8) и открытий (72) Авторы изобретения

В. Г. Цыбрин и М. П. Шелудько (71) Заявитель (54) ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ВИСТАБИЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА не л фнтемн а:.c + а

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники.

Известны оптоэлектронные бистабильные ячейки, содержащие регенеративный оптрон, фотоприемник которого оптически связан с внешним источником света.

Предложенная ячейка отличается от известных тем, что в ней параллельно источнику света оптрона подключен диод с отрицательным сопротивлением, например динистор.

Принципиальная схема устройства приведена на чертеже.

Устройство содержит фотоприемник 1, источник света 2 и диод с отрицательным сопротивлением, например динистор 3. В качестве фотоприемника 1 может быть применен, например, фоторезистор, в качестве источника света 2, например, электролюминесцентная ячейка. Фотоприемник 1 и источник света 2 охвачены положительной оптической обратной связью В,, и образуют регенеративный оптрон. Фотоприемник 1 оптически связан с внешним источником световых сигналов.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии («выключено») источник света 2 погашен, оптически обратная связь выключена, фотоприемник 1 находится в темновом режиме. Сопротивление фотоприемника 1 в темновом режиме где Z„„„— сопротивление источника света

5 2) Zp — сопротивление закрытого диода с отрицательным сопротивлением 3.

Основная часть напряжения источника питания приложена к фотоприемнику 1. Напряжение включения диода 3 (U,„) удовлетво10 Ряет условию U,Hë ) /заж где /ааж HB пряжение зажигания источника света. Поэтому диод 3 выключен.

Для переключения устройства во второе устойчивое состояние «включено» фотоприем15 ник 1 освещается внешним импульсом света.

При этом его сопротивление уменьшается, что вызывает перераспределение напряжения на элементах схемы (уменьшение на фотоприемнике, 1 и увеличение на источник света 2 и

20 диоде с отрицательным сопротивлением 3).

При достижении напряжения на источнике света 2 уровня зажигания включается положительная обратная оптическая связь В... которая поддерживает свечение источника

25 света 2 при снятии внешнего импульса света, что соответствует установлению режима самовозбуждения оптрона (состояние «включено») . Так как Ункл ) Уааж то источник света 2 при переходе схемы в состояние «вклю30 чено» не шунтируется.

446112

Предмет изобретения

Составитель В. Цыбрин

Редактор В. Фельдман Техред В. Рыбакова Корректор Е. Хмелева

Заказ 2129/7 Изд, № 574 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Перевод схемы в исходное состояние «выключено» осуществляется путем облучения фотоприемника 1 самовозбужденного оптрона внешним импульсом света, создающим на нем более высокий уровень освещенности.

Фотоприемник 1 при этом изменяет свое сопротивление до более низкого значения, что, соответственно, приводит к увеличению напряжения на источнике света 2 и диоде с отрицательным сопротивлением, например динисторе 3, до значения U ) U,„. В этом случае диод с отрицательным сопротивлением, например динистор 3, переключается,в открытое состояние (состояние высокой проводимости) и шунтирует источник света 2. Источник света 2 гаснет, положительная оптическая обратная связь В,, выключается и схема переходит в исходное состояние «выключено».

Оптоэлектронная бистабильная ячейка, содержащая регенеративный оптрон, фотопри10 емник которого оптически связан с внешним источником света, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью ее упрощения, в ней параллельно источнику света подключен диод с отрицательным сопротивлением, например дини15 стор.

Оптоэлектронная бистабильная ячейка Оптоэлектронная бистабильная ячейка 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах

Изобретение относится к технике формирования и обработки радиосигналов

Изобретение относится к оптоэлектронному приборостроению и может быть использовано для создания оптоэлектронных преобразователей и информационных матричных дисплеев

Изобретение относится к технике формирования и обработки радиосигналов

Изобретение относится к технической физике, а точнее к оптоэлектронике, к полупроводниковым приборам, чувствительным к излучению

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для считывания и хранения оптической информации

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к схемам многопортовой оперативной и сверхоперативной биполярной памяти в интегральном исполнении
Наверх