Бесконтактный способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур

 

В

i г

=- (а ..,ы

ОЙ ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соаз Советских

Социалистических

Республик (11) 452793 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22} ЗаЯвлено 23. 12.71(21) 1728690/26-25 (51) M. Кл. /pl, с присоединением заявки №

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (32) Приоритет—

Опубликовано 05.12.74 Бюллетень № 45 Дата опубликования описания 17.07.75 (53) УДК 621.382.,2 (088.8) (72) Авторы изобретения

B. В. Матвеев и Ю. В. Сурин (71) Заявитель (54) БЕСКОНТАКТНЫЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ

ЭЛЕКТРОФ ИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДВУХСЛОЙНЫХ СТРУКТУР

Известен бесконтактный способ измере(! ия удельного сопротивления полупроводниковых структур вихревыми токами. Этим способом нельзя одновременно измерять несколько параметров полупроводниковых струк- т ур.

Iles» изобретения — одновременное изме рение двух.и более параметров исследуемой структуры.

Поставленная цель достигается благодаря !0 тому, что измеряют величину смешения структуры, соответствуюшую максимальным и минимальным потерям, последовательно при синфазном и противофазном направлениях осевой компоненты напряженности маг- И нитного поля, затем рпределяют искомый параметр по зависимости от величины смешения структуры.

Су!цность предложенного способа поясняется чертежом. 20

Образец, состоящий из двух слоев 1, 2, помешают между соосными концентраторами 3, 4 электромагнитного поля, выполненными в виде плоских спиральных катушек с большой плотностью витков в центре. Тумблер 5 позволяет электрически иклточагь концентраторы последовательно пли !!араллешно. Концентраторы включены в цепь эталонного контура клемм 6 и 7. Импеданс контура измеряется при последовательном !!:!!! параллельном соединении концентр=гг 01о» н:! стандартном измерителе добротное>и и !! мосте. Измеряемая структура может сме:шаться плоско-параллельно относительно плоскости концентраторов. Величина смешения фиксируется на шкале 8, Средняя плоскость 9 между концентраторами является плоскостью отсчета.

Теоретический расчет импеданса двух плоских концентраторов электромагни гно!о поля в зависимости от смешения структуры показывает, что величина смешения K макс соответствуюшая максимальным потерям (при синфазном включении), равна: 4 т-2 (1+12 (! ) ((((й ксгде Д .и Q, — проводимость слоя

2 и 2 соотве! с в!- Ицо;

452793

Составитель3 Целиокова

Корректор 1.Б! . .о:. ре,а„тор Т.Орловская Техред Н.Ханеева

Изд. М и У .У

ЮМ

Подписное

За к аз 4» о комитета Совета Министров СССР

ЦНИИ11И Государственного комитета но д делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., .ква Г.59, Бережковская наб., 24

Предприятие «Патент», Москва, t и

1 2 » толщина слоя 1 и слоя

2 соответственно.

При противофазном включении величина

41 ь+ь, „) что соответствует минимуму потерь. Зная величины смешения К, К, а также 1р макс мин два исходных параметра структуры (например 1.у и » ), можно рассчитать остальные

2 "2 параметрыс1 и f решением урввнений (1)

1 1 l5 и (2).

Предмет изобретения " " Ьескойтактный способ- измерения элект- рофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур путем воздействия на исследуемый образец электромагнитным гголем, отличающийся тем, что, с целью одновременного измерения двух и более параметров, апример толшины и удельного сопротивления, измеряют величину смешения структуры, соответствующую максимальным и минимальным потерям,последовательно при синфазном и противофазном направлениях осевой компоненты напряженности магнитного поля с последующим определю» нием искомого параметра по зависимости от величины смешения структуры.