Способ измерения параметров полупроводниковых приборов

 

®азнм влчщтцр -;.ц„ 4 ете Mrs

АНИЕ ОП ИС

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 449322

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. (6Ц:зависимое от авт. свидетельства:.—. (2 ) дгц,-намик-,. 04.1.0.71(21) 1702667/26-25 с присоединением заявки №Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам иэооретений и открытий (З2) Приоритет .+

Опубликовано 05.11.74. Бюллетень №41

Дата опубликования описания 1.04.75 (53) УДК 621.382.3 (088.8 ) (72) Автор изобретения

H. Н. Терентьев (71) Заявитель (54) CfIOCOE ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Поставленная цепь достигаетси те.:л, чтб формируют фазоманипупированный l:игнап с постоянной ал(}иштудой, имеющий скачки фаз вели }иной Jl в точках равенства контролируемой и образцовой величин, и периодический сигнал, совпадающий по }}миг(}(туде, форме и дпптельпости с первьи (и двумя дискретами фазоманипу)н(рованного сигнала, вычитают сформированнь}е сигналы и по по» пученной ра:знос((} определяют нестабильность.

На фи}. 1 представлена блок-схема для реа)и(вани}(предложенно(о способа; иа фиг.

2 — напряжения на выходе узлов блок-ñ .õåм}.(, Ьпок-схема содержит блок 1 зада}п}я исходных режимов пспытуемол}у прибору, подключен}п}й к блоку развертывающего преобразователя 2, который соединен с формирователем фаз(>манн(}улированного сигнала 3 и формирователем периодического сиг папа 4, Формирователи подключены к блоку

5 из }ape»((s(Г,(О((и!Ости разнОс (}(o(О си(I(aхиl и прннятия решения. (!!зобретение относится к электронной технике и можег быть применено для автоматического измерения параметров изготовляемых полупроводниковых приборов, Р!звес:тен способ контроля нестабильно- 5 сти обратных токов переходов, заключающийся в том, что и(пытуемому транзистору задают режим измерения по постоянному току, }(змеряк)т значения обратного тока в фиксированные моменты врел(ени и, !О сравнивая эти зцаче}(ия, определяют ве)я(чину нестабильности.

При известном способе измере(н(я невозможно получить информацию об изменениях обратного тока между л(О(.(ентами от- !5 счетов, что необходил}о дпя более полной характеристики поведения транзистора.

Кроме того, для реализации известного способа требуются регупяторь} пос (к)я}}ного тока, магнитные усилители, усш}}}тели по- 20 стоя(вин о тока и другие узлы, критичные к воздай} твию дестабилизирукппих фактоРОВ.

Цель изобретения — повышение точности и зм «реп ий, 25 (51) M. Кл, Q 011 31/26

449322

С блока задания исходных режимов 1, в котором помещен испытуемый прибор, измеряемый сигнал подается на вход блока 2, где измеряемый сигнал развертывается об5 разцовым сигналом, имеющим периодическии характер (фиг. 2, a). Формирователь 3 формирует фазоманипулированный сигнал с заданной амплитудой, имеющий скачки фаз на 5Г в точках уравновешивания контроли10 ,руемой и образцовой величин - (фиг. 2, б), а формирователь 4 формирует периодический сигнал, период которого совпадает по амп- литуде, форме и длительности с первыми двумя дискретами фазоманипулированного 15 сигнала (фиг. 2,в}. Выходные сигналы формирователей подаются на блок 5, где производится вычитание периодического сигнала из фазоманипулированного и разность приводится к виду псходного фазома20 нипулированного сигнала. По разности вычисляют распределение нестабильности во времени. Затем определяют спектральную: мощность разностного сигнала, которая позволяет судить о величине нестабильности и ее распределении по частотному диапазоIPj.

Описываемый способ позволяет получить более полную информацию о поведении транзистора во время испытаний. Формированне фазоманипулирозанного сигнала обеспечивает высокую точность и помехоустойчивость последующих преобразований ; фазоманипулированный сигнал является хорошим приближением для теоретически оптимального сигнала, обеспечивающего при измерении наибольшее отношение сигнал/помеха; использование простых преобразователей развертывания, вычитания упрощает аппаратурную реализацию способа.

Предмет изобретения

Способ измерения параметров полупроводниковых приборов, например нестабильности, путем сравнения контролируемой и образцовой величин, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности измерений, формируют фазоманипулированный сигнал с постоянной амплитудой, имеющий скачки фаз величиной Jt в точках равенства контролируемой и образцовой величин, и периодический сигнал, совпадающий по амплитуде, форме и длительности с первыми двумя дискретами фазоманипулированного сигнала, вычитают периодический сиги:. нал из фазоманипулированного и по полученной разности определяют нестабильность.! и а и< !. / Ц !одписиоа.!!ди ¹ /, 00/ заказ gg g

ill li1lll ill осударстиеииоио коми i и Совета Мииистрвв ИХР ио делам изобретений и о1крытий

Москва, 130;3,">, Раушскаи иаб., 4! !!и дпривтие ..! !а|сllT> ., Москва, Г-59, Ьерен<коискди ll36, 24 (.оста витель 3. 1епнокова

Редак тор Т.Орловская екре а Т.Ку1зялко Корректор НЛе еШ-ва

Способ измерения параметров полупроводниковых приборов Способ измерения параметров полупроводниковых приборов Способ измерения параметров полупроводниковых приборов Способ измерения параметров полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх