Способ изготовления p-n-перехода в кремнии

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см², отжига, например, при 480-550^oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0,1-0,5 мкК/см².

Способ ионпого легирования полупроводников // 420015

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств