С внедрением ионов (H01L21/265)

Отслеживание патентов класса H01L21/265
H01L21/265              С внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J37/30)(135)
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2641617
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2633799
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2629655
Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2626292
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента // 2613013
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2606246
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров.

Дифракционная периодическая микроструктура на основе пористого кремния // 2597801
Изобретение относится к устройствам дифракционных периодических микроструктур для видимого диапазона, выполненным на основе пористого кремния.
Способ легирования кремния // 2597389
Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2594615
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицидных слоев с низким сопротивлением.

Способ изготовления дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния // 2593912
Способ изготовления дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния включает в себя формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры с помощью имплантации ионами благородных или переходных металлов через поверхностную маску, с энергией 5-100 кэВ.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2591236
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления.

Способ изготовления тонкопленочного транзистора // 2571456
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки.

Способ изготовления слоев р-типа проводимости на кристаллах ingaas // 2558376
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости.

Способ изготовления дифракционной решетки // 2544873
Изобретение относится к оптике. Способ изготовления дифракционной решетки заключается в формировании на поверхности исходной подложки элементов заданной структуры дифракционной решетки путем ионной имплантации через поверхностную маску, при этом имплантацию осуществляют ионами металла с энергией 5-1100 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке 3·1020-6·1022 атомов/см3, плотностью тока ионного пучка 2·1012-1·1014 ион/см2с в оптически прозрачную диэлектрическую или полупроводниковую подложку.

Способ изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на высокоомном p-кремнии // 2544869
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности, к способам изготовления планарных pin-фотодиодов большой площади на основе высокоомного кремния p-типа проводимости.

Способ изготовления слоев р-типа проводимости на кристаллах inas // 2541137
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2539789
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов.

Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке // 2535244
Изобретение относится к материаловедению. Пленка оксида кремния на кремниевой подложке, имплантированная ионами олова, включает нанокластеры альфа-олова.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2515335
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2497229
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×1012-6×1013 см-2 с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×1012 см-2 с последующим отжигом при температуре 900-1000°С в течение 5-15 секунд.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2445722
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, с пониженной плотностью дефектов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2433501
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов кремний-на-изоляторе, с низкой плотностью дефектов.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2431904
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов - кремний на изоляторе с высокой радиационной стойкостью.

Способ ионного легирования бором областей p-n перехода полупроводниковых приборов и интегральных схем // 2399115
Изобретение относится к области технологии и изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. .
Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире // 2390874
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2388108
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов со структурой кремний на изоляторе, с пониженной плотностью дефектов.

Способ изготовления планарного р-n перехода на основе высокоомного кремния р-типа проводимости // 2349985
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2340038
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов со структурой кремний- на- изоляторе, с пониженной плотностью дефектов.

Способ формирования p-n переходов в кремнии // 2331136
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и устройств и может использоваться для формирования p-n переходов в кремнии.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2298250
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с низким током утечки.

Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) // 2297691
Изобретение относится к области технологии производства тонких плоскопараллельных пластин из хрупких кристаллических материалов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых устройств типа "полупроводник на изоляторе", а также поверхностных субмикронных углублений различного геометрического профиля при производстве микроэлектронных устройств.
Способ синтеза сверхпроводящего интерметаллического соединения в пленках // 2285743
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, в частности к способу синтеза сверхпроводящего интерметаллического соединения в пленках, например станнида ниобия Nb3 Sn, и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической и других отраслях промышленности при формировании многоуровневой сверхпроводящей схемы внутри пленочного несверхпроводящего покрытия.

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств.

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий.

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников.

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур. .

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении.

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов.

Способ легирования кремния халькогенами // 2069414
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к процессу легирования кремния халькогенами, и может быть применено при изготовлении термодатчиков, фотоприемников.

Способ получения структур с захороненным металлическим слоем // 2045795
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в технологии создания на основе кремния, арсенида галлия или других полупроводников и диэлектриков с захороненным металлическим слоем транзисторов со статической индукцией (СИТ), проницаемой базой (ТПБ) или с металлической базой (ТМБ), являющихся твердотельным аналогом вакуумного триода, либо получение встроенных слоев с металлической проводимостью в интегральных схемах.

Способ изготовления планарных p+- n -переходов на кристаллах inas n-типа проводимости // 2045107
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов, а также более сложных приборов на кристаллах InAs, обладающих высоким значением пробивного напряжения (Uпр.), дифференциального сопротивления (Rд) и квантовой эффективности ( ), а также высокой стабильностью параметров.

Способ получения тонких диэлектрических покрытий // 2044367
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к получению диэлектрических пленок, используемых в качестве межслойных, пассивирующих и селективно пропускающих излучение (фотошаблоны или фотолитографии) покрытий при изготовлении многоуровневых сверхбольших интегральных схем (СБИС) на основе соединений типа А2В5 или соединений, обладающих свойствами высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП), требующих низкотемпературной обработки.

Способ модификации поверхностного слоя теллурида кадмия ртути // 2035801
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к фотоэлектронике. .
 
2548968.
Наверх