Способ контроля поля анизотропии цилиндрических тонких магнитных пленок по длине

 

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 468200 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 15.06.73 (21)1930204/18-10 (51) М. Кл.

G 01д 33< 00 с присоединением заявки .",.

Гасударственный иамитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 2 5. 04. 75, Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 30.05.75 (53) УДК 621 317.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Т. Лысый и M. С. Штельмахов (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОЛЯ АНИЗОТРОПИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК ПО ДЛИНЕ

Изобретение относится к неразрушаюшим-. методам контроля качества и свойств ферромагнитных материалов, а именно к определению магнитных характеристик цилиндрических тонких магнитных пленок, и может быть использовано в производстве их образцов.

Известные способы контроля поля анизотропии тонких пленок, основанные на перемагничивании до насышения участков пленки переменным синусоидальным полем вдоль трудной оси намагничивания и использовании для измерения третьей гармоники вторичной э. д. с., характеризуется зависимостью результатов контроля от разброса магнитных свойств испытуемого материала по длине 15 магнитной пленки.

Цель изобретения — повышение точности контроля поля анизотропии.

Для этого по предлагаемому способу контроль поля анизотропии участков образ- 20 ца тонкой магнитной пленки ведут по амплитуде намагничиваюшего поля и регистрируют его значение в момент появления в составе вторичной э. д. с. высших гармонических составляющих, из которых выделяют 25 третью гармонику, и фиксируют начало непрерывного роста амплитуды ее текушего значения.

Ъ

На чертеже изображена кривая намагничивания участка образца и график изменения намагничиваюшего поля.

Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (Bg ) ..

При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной э, д. с, намагничивающего тока также появляются гармонические составляющие.

468200

Составитель 5 Сергеев

РедакторТ.Иванова Текред И.Карандашова Корректор Л.Царькова

Изд. M /$6 Тираж 802 Подписное

Заказ

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент>, Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

ФКМП Зак.14874 Тир.802

Таким образом, момент появления гармониче ских составляющих в индукции участка пленки и во вторичной .э. д. с. при перемагничивании синусоидальным полем свидетельствует о величине намагничивающего поля, соответствующего полю аниз отропии.

Для регистрации этого поля в момент появления гармонических составляющих при перемагничивании из состава вторичной 1Q э. д. с. выделяют третью гармонику и фиксируют начало непрерывного роста амплитуды ее текущего значения.

Предмет и з о б р е т е н и я

Способ контроля поля анизотропии цилинд-15 рических тонких магнитных пленок по длине, основанной на перемагничивании до насыщения участков пленки переменным синусоидальным полем, направленным вдоль труд,— ной оси намагничивания и использовании для целей контроля третьей гармоники вторичной э. д. с., отличающийся тем, что, с целью повышения точности, контроль ведут по амплитуде намагничивающего поля. регистрируя его значение в момент появления в составе вторичной э. д. с. гармонических составляющих, из которых выделяют третью гармонику, фиксируя начало непрерывного роста амплитуды ее текущего значения.