Способ изготовления электродной структуры для вакуумных микроприборов

 

(19)SU(11)470226(13)A1(51)  МПК 5    H01J9/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ

Известный способ получения многоэлектродных структур для электровакуумных приборов не обеспечивает высокой точности микрорельефа на диэлектрической подложке для сложного по конфигурации профиля. Предложенный способ позволяет повысить точность геометрии электродной структуры благодаря тому, что алюминиевую подложку подвергают "мягкому" анодированию, линии контуров и места углублений структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на нужную глубину алюминий в местах углублений и проводят окончательное анодирование. Способ поясняется фиг. 1-7. Заготовку из алюминиевого листа, например, в виде прямоугольника 1 (фиг. 1) полируют и подвергают кратковременному "мягкому" анодированию для получения тонкой окисной пленки 2 (фиг. 2), обладающей низкой химической стойкостью и обеспечивающей прочную адгезию с фоторезистом. На одной из анодированных поверхностей алюминия методом фотолитографии получают рисунки будущих анодно-сеточных узлов, причем места будущих контуров и углублений и обратная поверхность алюминия экранируются фоторезистом 3 (фиг. 3). Незащищенные фоторезистом участки анодируют до толщины, обеспечивающей сохранение устойчивой формы окисного слоя 4 (фиг. 4) при последующем вытравливании алюминия. После удаления фоторезиста в местах будущих углублений и контуров стравливают первичный "мягкий" слой (фиг. 5) и проводят одновременное полирование и травление алюминия на глубину, равную расстоянию между анодом и сеткой будущей анодно-сеточной структуры. В результате избирательного вытравливания алюминия образуется углубление, превышающее по ширине отверстие в оксидной пленке, через которое происходит вытравливание алюминия (фиг. 6). Затем проводят окончательное анодирование (фиг . 7), стравливание алюминия и формирование электродов, например, вакуумным напылением.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем

Изобретение относится к источникам электронного и рентгеновского излучений, которые могут применяться при исследованиях в области радиационных физики и химии, радиобиологии, а также в радиационных технологиях, например в химической промышленности, медицине и др
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - устройствам для полевой эмиссии электронов

Изобретение относится к получению высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для получения эмиттеров электронов
Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для формирования конструктивных элементов газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), например электродов, разделительных элементов и др
Наверх