Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (юй)ю С 30 В 15/34

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2008049/26 (22) 26.03.74 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.Р,Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик,Е.А.Тучинский и Ю,Т.Гринченко (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ НИТИ с встроенным в крышку тигля капиллярным формообразователем и установленным над тиглем затравкодержателем, отл ич а ю ще ес я тем, что,с целью

Изобретение может применяться на предприятиях химической и электронной промышленности.

Цель изобретения — повысить надежность затравливания, т.е. уменьшить время затравления.

Это достигается тем, что формообразователь выполняют из пучка капилляров, верхняя часть которого имеет форму конуса.

Целесообразно, чтобы угол при вершине конуса был равен 90-170, Крышка тигля может быть выполнена с кольцевой канавкой вокруг формообразователя, снабженной отверстием.

На чертеже изображено предлагаемое устройство, разрез.

Оно состоит из тигля 1 с крышкой 2, в которой встроен формообразователь 3, состоящий из капиллярных трубок 4, смачиваемых расплавом. Нижние торцы капиллярных трубок открываются в придонную область тигля, верхние выведены из крышки. Трубки расположены так, что верхняя часть формообразователя имеет форму,, Ы,, 475075 А1 уменьшения времени затравления, формообразователь выполнен из пучка капилляров, верхняя часть которого имеет форму конуса.

2. Устройство поп. 1, отл ича ю щеес я тем. что угол при вершине конуса составляет 90 — 170 .

З.Устройство пои. 1, о тл ича ю щеес я тем, что крышка тигля выполнена с кольцевой канавкой вокруг формообраэователя, снабженной отверстием. конуса с углом при вершине 90-170, Вокруг формообразователя в крышке выполнена кольцевая канавка 5 с отверстиями 6. Над . тиглем установлен кристаллодержатель 7 с затравкой 8 (металлическая проволока или монокристаллическая нить).

Устройство работает следующим обра- Б зом.

Тигель 1 заполняют расплавом, который д по капиллярным трубкам 4 поднимается к верхнему торцу формообразователя 3. Затравку 8 подводят к верхнему коническому торцу формообразователя. О

Если затравка не попадает в отверстие, она скользит по образующей конуса до по- Ql падания в одно из капиллярных отверстий.

При неудачном затравлении кристалл расплавляют, и расплав стекает через канавку

5 и отверстия 6 в тигель 1, поэтому для повторного затравления нет необходимости разгерметизировать устройство.

Вероятность затравления при такой конструкции формообраэователя значительно повышается.

475075

Составитель Е,Добровинская

Техред M,Moðãåíòàë Корректор С.Шекмар

Редактор T.Øàðãàíîâà

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1961 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий

Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла

Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова

Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Наверх