Диодно-конденсаторная ячейка памяти

 

ОПИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с»1 483714

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от явт. свидетсльства (22) Заявлено 05.05.72 (21) 1781257/18-24 с присоединением заявки «¹ (32) Приоритет

Опубликовано 05.09.75. Бюллетень ¹ 33

Дата опубликования описания 11.12.75 (51) М. Кл. G 1lс 27/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327,2 (088.8) (72) Автор изобретения

В. М. Дрожжии (71) Заявитель (54) ДИОДНО-КОНДЕНСАТОРНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может использоваться при создании систем обработки информации.

Известны различные схемы диодно-конденсаторных запоминающих устройств (ДКЗУ).

Одним из недостатков указанных устройств является ограниченное время хранения, которое определяется утечками применяемых элементов, причем определяющими являются утечки диодов, подсоединяемых к конденсатору.

Увеличение времени хранения в известных устройствах oc)iföññòâJfëoòñÿ зл счет стабилизации входного базового тока и соответствующего ему выходного сигналя интегратора при применении стабилизирующего усилиTeJIbHOIO каскада. И,IIO«II :IOB«ITI 3ТОТ способ для увеличения времени хранения сигнала в диодио-конденсаторном зяпомшгающем устройстве не представляется возможным, 13K как в ДКЗУ основное влияние ня хранение оказывают утечки полупроводниковых диодов цепи записи и стирания, я в указанном интеграторе — — входной ток усилителя интегратора.

Цель изобретения — - увелпчlfli, время хранения аналогового сигнала при несложном схемном решении, Указанная цель достиглется тем, что к истоку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания и катодом диода стирания и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительного диода записи, яиод которого соединен со входом ячешси и через резистор — с шиной нулевого потенциала.

Иа чертеже 1 представленл схема предложенной диодно-конденсаторной ячейки памяти, где 1, 2 — диоды цепи записи. 3— диод обратной связи, 4 — диод стирания, 5 — — резистор обратной связи, 6 — зяпоми-!

5 плющпй конденсатор, 7 --- полевой транзистор, 8 - — илгрузочпьш резистор полевого транзистора, 0 - диодно-конденсаторный элемент памяти, 1Π— — корректирующий элемент, 1

1! — ключ стирания. И...,,, И, И„И,; соотвс тствеипо входllolf, выХОДНОй, ДОпОЛнительный выходной и сигнал стирания, 11,, потенциал точки а, И, — напряжение зяпомивлкицс ГО конденсатора.

2," Запись сигнала на конденсатор 6 и при

И,„) 0 осуществляется через диоды 1, 2.

Запоминаемый на конденсаторе 6 уровень передается ил выход диодно-конденсаторной ячейки через полевой транзистор 7 и коррек30 тирующий элемент 10.

483714!

3", Составитель P. Яворская

Техрсд Т. Миронова

Редактор В. Фельдман

Корректор Н. Лебедева

Заказ 3006/18 Изд. № 987 Тирани 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

При соответствующем выборе параметров коректирующей цепи выходное напряжение схемы с некоторым приближением равно уровню, запоминаемому на конденсаторе памяти 6. В результате обратное напряжение, прикладываемое к диоду 4, и его ток утечки в значительной степени снижаются и в идеальном случае равны О.

Ток утечки через диод 2 снижается при включении диода 3 между выходом схемы и анодом диода 2. Реально необходимо выдержать некоторые условия, обеспечивающие стабильность режима хранения аналогового сигнала:

U,— U„= d

Uc — Ua a= с, где d, с — сколь угодно малые, но положительные (а, в)0) значения во всем диапазоне изменения входного сигнала Ив,.

Ограничения, накладываемые на величины а и в, определяются конкретными условиями применения диодно-конденсаторной ячейки памяти (например, дрейфом элементов).

Корректирующий элемент 10 применяется для исправления передачи характеристики полевого транзистора 7 и в общем случае является нелинейным функциональным преобразователем. В простейшем случае это может быть схема диодного ограничителя, состоящего из одного диода, трех сопротивлений и дифференциального усилителя постоянного тока (при двух отрезках линейной аппроксимации) . Для более точной коррекции можно увеличить число отрезков аппроксимации, однако реально, их число не должно превышать 3 — 4 вследствие слабой нелинейности передаточной характеристики полевого транзистора, которую корректирует элемент 10.

Таким образом, в простейшем случае схема корректирующего элемента несложна.

При значительном разбросе передаточных характеристик полевых транзисторов для получения хорошего эффекта от применения корректирующего элемента необходимо применять подстроечные сопротивления для выбора требуемого режима работы дифференциального усилителя постоянного тока.

С учетом изложенного время хранения аналогового сигнала может быть увеличено по сравнению с известными схемами, не использующими корректирующих обратных связей на три и более порядков.

Предмет изобретения

Диодно-конденсаторная ячейка памяти, содержащая диодно-конденсаторный элемент, состоящий из диода записи, катод которого соединен с анодом диода стирания, одной из обкладок запоминающего конденсатора и с

25 затвором полевого транзистора, сток которого соединен с шиной питания, исток — через резистор — с шиной нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью увеличения времени и точности хранения, к исто80 ку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания, катодом диода стирания и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительного ди85 ода записи, анод которого соединен со входом ячейки и через резистор с шиной нулевого потенциала.