Способ получения кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма
1 ,л б Мя,"-. и -:
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИДЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (») 496042 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 28.01,74 (21) 1991249/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.12 75, Бюллетень №47 (45) Дата опубликования описания03.03,76 (51) М. Кл. В 011 17/06
Гооударотвенный комитет
Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (Q) ДК 669.046-172: 546. . 87 86 (088.8) (72) Авторы изобретения
В. Л. Налетов, А. С. Крылов и В. Г. Лужковский (71) Заявитель Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени государственный педагогический институт им. А. И. Герцена (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА
И СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллических материалов.
Известны способы получения кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма направленной кристаллизацией расплава на затравке. При этом
k затравка ориентируется так, чтобы плоскость (G3) совпадала с направлением роста. Но вследствие большой анизотропии свойств указанных материалов, для различных целей тре- 10 буются образцы различных ориентаций. Известные способы не позволяют также получать мо-, нокристаллы непосредственно в виде образцов различных ориентаций. Так как ориентация вы16 ращенных кристаллов при известных способах всегда одинакова, то при резке образцов требуемых ориентаций из полученных кристаллов, большое количество материала идет в отходы, 20
Экспериментально установлено, что йрй некоторых положениях затравки, например, когда, плоскость (Ш) перпендикулярна к направлению роста, вообще не удается получить моноблочные кристаллы, затравка не играет ориентиру- 25 ющей роли, ни один из блоков не повторяет ее ориентации.
Известно, что для получения некоторых монокристаллических материалов затравку необходимо располагать определенным образом. Но эти способы не применимы при выращивании монокристаллов системы висмут-сурьма, так как они не отражают особенностей укаэанной системы.
Для увеличения выхода моноблочных кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма по
I предлагаемому способу затравку ориентируют .в направлении, при котором угол между плоскостью совершенной спайности (g3) и на правлением роста -составляет 0о — 19о.
Этот способ позволяет увеличить выход моноблочных кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма, обеспечивает воэможность получения монокристаллов непосредственно в виде образцов различных ориентаций, увеличивает степень использования кристаллического материала.
496042
Составитель В.Лужковский
Редактор Л.Пут сон текред И.Карандашова Корректор Т.ГревцоваИзд. И Щ / Тираж
Подписное
3 аказ Щ/
ЦПИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, l!3035, Раушская наб., 4
Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская иаб., 24
На чертеже графически изображена зависимость выхода моноблочных кристаллов от вет. личины угла В,образсаанаого нлоскоотью тШ) лат юначного ыонскристалла и осью слитка (направлением роста).
По оси абсцисс отложена величина угла, по -оси ординат — вероятность получения моно блочного кристалла, принятая условно за едие 10
Формула изобретения
Способ получения кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма направленной кристаллизацией . расплава на затравке, о т л и ч а ю. шийся тем, что, с целью увеличения выхода моноблочных кристаллов, затравку ориентируют в направлении, прй котором угол между плоскостью совершенной спайности(Ш) и направлением роста составляет 0-19о,
