Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено26.01.73 (21) 1877321/26-21

Союз Советских

Социалистических

Республик (1 1) 496335

Й з 2

\,, (" ь" 4 а и (5!) М, Кл, С 23Ъ. 5/32 с присоединением заявки № (31) WPC 236/160540 (32) 2 7.О 1.7 2 (ЗЗ) ГДР (43) Опубликовано25.12.75, Бюллетень №47

Государстаонный ноетет

Соната Инннстроа СССР ао дамам нзобретоннй н открытнй (53) УДК

62 1. 3 57.7 6 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 13,Г4..76 (72) Авторы Иностранцы изобретения Хансюрген Мюллер-Диттманн и Хельмут Енч (ГДР) Иностранное предприятие

"Академи дер Виссеншафтен Дер ДДР

ГДР (71) Заявитель

C (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК

НА ОСНОВЕ МАГНИТОТВЕРДЫХ СПЛАВОВ

Изобретение относится к технологии на,несения покрытий, а именно к осаждению

l пленок на основе магнитотвердых сплавов, преимушественно кобальт — фосфор, кобальт.никель -фосфор °

Известен способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов, пренмушественно, кобальт— . фосфор, кобальт-никель — фосфор, иа элект

t ролита, содержашего хлориды или сульфа-, ты исходных металлов.

Однако получаемые известным способом магнитотвердые пленки обладают малой магнитной твердостью. Максимально достижимая коэрцитивная сила составляет примерно 8ОО Э.

Остаточная индукция относится к индукt ции насышения в лучшем случае как 0,6 1, С такими магнитными свойствами пленок трудно осушествить плотное накопление информации.

Целью изобретения является повышение плотности накопления информации пленками, И

Для этого s электролит вводят добавку тетраацетата динатрийдигидроэтилендиами\ на в количестве 2 — 30 г/л и процесс осаж- дения ведут при рН 2,5 — 6 с использованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2-10 1ц, амплитуда которого изменяется от .отрицательйого до положительного значения со скважностью импульсов 2- 4 по уравнению = — р

Т-f где Т - время длительности периода, — время длительности катодного импульса, при действуюшей плотности катодного тока завной 0,5 — 7 A/-м

2 и плотности анодного тока определяемой из уравнения т н Г о| аа где -плот ность анодного тока, И вЂ” плотность катодного тока, зн — действуюшая плотность катодного тока.

Предложенный способ осушествляют следуюшим образом.

Тонкие магнитотвердые пленки получают электролитическим осаждением, преимушественно ча основе соединений кобаль496335

1та и фосфора или кобальта — никеля — фос-1 фора, на гибкую подложку, в частности на полиэфирную ленту. Для этого покрытую металлическим слоем несушую подложку помешают в злектролитическую ванну, содержашую электролит в виде раствора со-. лей металлов.

Подложка служит катодом, для чегс ее присоединяют металлическим слоем к отрицательному полюсу источника тока и протягивают через ванну с постоянной скоростью. B электролит добавляют от

2 до 30 r/n тетраацетвт динатрийгидроэтилендивмина и поддерживают известным образом значение рН в пределах от 2,5 до 6.

Для эпектролитического покрытия применяют импульсный ток прямоугольной формы частотой от 2 до 10 Гц, амплитуде которого изменяется от отрицательных к положительным . значениям, скважность ) импульсов,лежвшая в пределах от 2 до 4, описывается уравнением

ty

) и)

Т- t где Г - время длительности периода, / - время длительности катодного и мпульса при действуюшей плотности ка-

2 и

1тодного тока 1„,, равной О, 5 - 7 А /дм 1 и плотности анодного тока, определяемой иэ уравнения (A/ин 3, и)

И"

Т где -плотность анодного тока, sa — действуюшвя плотность катодного тока.

Импульсный ток способствует изменению состояния между катодным покрытием и переносом частиц к аноду, причем оседает тонкий кристаллический слой, создаюший условия для образования необI ходимых магнитных свойств. Изменение частоты, скввжности и действуюшей или катодной плотности тока оказывает влияние на освждающийся слой, изменением тонкого магнитотвердого слоя можно добиться максимального значения коэрцитивной силы, отношения оствточчой индукции или оптимального значения обоих парвметров.

К электролиту добавляют 10 г/л тетра- ацетага динатрийдигидроэтилендиамина и устанавливают зиечение рН для хлоридных вани чаще всего равным 3,5, а для сульФ фвтных ванн равным 5,5.

1 1

Целесообразно вести процесс при частоте ог 4 Гц, скважности импульсов не ниже 3, с действуошей плотностью тока не, ниже 1,5 А/дм . Целесообразно вести

5 процесс при температуре электролитической ванны от 15 до 30 С, оптимальная температура 22 C.

Сушество изобретения поясняется следуюшим примером.

Обмедненную с одной стороны полиэфирную пленку шириной около 6 мм помешают в электролитическую ванну. Присоединяясь к отрицательному полюсу источника тока, она служит катодом.

Электролит имеет следуюший состав:

100 г/л CogO . 7Н О чистая

50 г/л Я ЯО

30r/лйаН РО . Н О-2 2 2

25 г/л (NH4) GO

10 г/л тетраацетата динатрийдигидрво,. метилендиаминв и температуру 20 :. Значение рН устанавливают равным 5,5.

B качестве источника питания применяют прибор с электронной стабилизацией по току, выдаюший прямоугольные отрицательный и положительный импульсы. ИмпульсЗО ный ток имеет частоту 4 Гц и скввжчость с отношением 4: 1. Действуюшую плотность тока выбирают равной 1,5 А/дм2, а катод-. ную плотность равной 10,5 А/дм . По

2 уравнеппо (2) устанавливают плотность

35 анодного токв, равной 34,5 А/дм . После включения импульсного тока лента непрерывно со скоростью 23,4 смlмин протягивается че аз ванну. При этом нв обмедненную подложку осаждается слой соединения

40 кобальт- никель- фосфор толшиной 0,1 мкм.

Этот слой имеет коэрцитивную силу, равную 1530 Э, и отношение остаточной индукции, равное 0,76, При нанесении покрыъ

45 тия при помоши постоянного тока из тако1 ro жо электролита осаждается слой с коэрцитивной силой, равной 800 Э, при отношении остаточной индукции, рави м 0,6.

Формула изобретения

Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов, преимушественно кобальт — фосфор, кобальт — никель — фосфор, из электролита, содержавшего хлориды и сульфаты исходных металлов, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения плотности накопления информации пленка:.1и, в электролит вводят добавку тетраацетата пиим рийди496335

Составитель .Е.Ковалева

Редактор А.ЗиньковскийГезред амышникова корректор Т.Гревцова изл. N J$/g тнрви И6 по„пнсное

Заказ 2604

ИИИИПИ Г ос дарственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений v. открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4 филиал П1Л1 Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 гидроэтилендиамина в количестве 2-30 г/л и процесс осаждения вед т при рН 2,56 с испольэованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2 - 10 Ги, амплитуда которого изменяется от отрицательного до положительного значения со схважиостью импульсов 2- 4 по уравнению

У

Т-f где Т вЂ” время длительности периода, / - время длительности катодного импульса при действуюшей йлот- )

Г . ности катодно2го тока 4 вной

0,5-7 А/дм т и плотности анод ного тока, определяемой из уравнения б

"Еф 3, Т где l -плотность анодного тока, - плотность катодного тока,,S0

- действуюшая плотность катод« ного тока.

Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов 

 

Похожие патенты:
Наверх