Способ подогрева кремниевых стержней

Авторы патента:

C01B33/02 - кремний (образование монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала определенной структуры C30B)

Способ подогрева кремниевых стержней при получении кремния в аппарате водородного восстановления хлоридов кремния за счет тепла, получаемого от газа-носителя, например, водорода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества готового продукта, нагрев водорода ведут в дуговом плазмотроне.

Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния // 396124

Патент 356873 // 356873

Способ получения монокристаллических слоевкремния // 272964

Патент 155288 // 155288

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440

Способ получения кремниевых заготовок // 138062

Способ плавления кремния и устройство для его осуществления // 113874

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов // 334997

Способ получения кремния технической чистоты // 190356

Способ получения кристаллического кремния // 119176

Способ получения окускованной шихты // 2103386

Способ получения кремния // 2116963

Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния

Способ плавки кристаллического кремния // 2121967

Изобретение относится к электротермическому получению кремния в рудно-термических печах

Способ производства кремния в трехфазной рудовосстановительной электропечи // 2122970

Изобретение относится к электротермическому производству технического кремния

Способ получения кремния высокой чистоты // 2131843

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов

Способ получения моноизотопного кремния // 2137710

Изобретение относится к области металлургии

Шихта для производства кремния и способ приготовления формованного материала для производства кремния // 2151738

Изобретение относится к подготовке шихтовых материалов и производству кремния в электротермических печах, который может быть использован в полупроводниковой технике

Способ производства кремния для использования в солнечных элементах // 2154606

Способ получения моноизотопного кремния si28 // 2155158

Изобретение относится к области получения высокочистых веществ и касается разработки способа получения высокочистого моноизотопного кремния Si28, который может быть использован в микроэлектронике