Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния
" е" "" --.ы
-"" с -Жеев те, с
Союз Советских
Социалистических
Республик
О Л
ИЗОБРЕТЕ Н И Я
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Завис. (мос от ".âò. в:(детельства ¹â€”
3 ) 5113:ic",,,) 09.Х11.1971 (№ 1726137/23-26) . 31.Кл. В Ol j 17 18
I(Pit COO (:i ii l, С 3! ЗД ив)(ПI ¹ ——
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР
flo делам изаоретений и открытий
11рпор I Tcò
<)пм()л.i .(o!3 !! ..) 29.3/111.1973. !)!олс!Ст(111, № 36
УД К 669.046-172:546.28 (088.8) @(1òß 011»0.1 .1: О;>;l и:!,! л! Ii
ЛВТОР)!
ПЬЧ)()j)С!
Н, И. Блецкан, Л. Е. Ьерезенко и К. A. Мисюра
3 с(Я13 i С i!>
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ
МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
Д,(я з I Л! Л II p:! (3ht 1) 10((! ы.> 3 л л i P il стсi ° 1 1 ЛВ > 1" (зан(30Й 01313<. Птаци !!
-:å,т!!чипу л;свого температурного градиента
В т()ердл!11 фазе поддерживают не больше
50 С, C.II. Пр:,(атом предот!)ращяется зярождс)iiC10Ii )il,:111, В CI3513II C (IC . ПРЛ<ИЗВЛДПтс 11;IOCT; ПРОЦЕССЯ. П р 3 I Cp .. > (о н О к р и с т а л л 1>1 к р е 3 н и я . О р и е и1 I I p 0 !3 i () l(3 ря опля Вя пл с1лхряс!1 с)гому с )оспо li зовя;(нем тепл; )лй;!iстeitti, сост(л5113(е!(Пз пягре,В Я те з 51 — — 0 и Р л T i! 13;I е it и 51 цил и) l д13 ич с с кои ф О Pмы !)ысотл(1 118 .(<л!(;! диаметром 1 <0 !!.и,;!яти ()О!:, )I)hi X II Д13 > Х Ili)TO,!O×IIÛ., ЗКРЯ(НОВ, P1CÏO. Io(л> )ксl1111>lх I!(1 13ЫСЛ С 50 il 100 .1).ll ОТ IIOIICj)_#_I(OC Гil Р;lс)1,1 1п ЛЕЗД (ЕIЛК 1ПНЛП)!1>IХ 10!!ЛКРИСT I,ICIO!3 (. ЛСT i!l20 ляет Ж)(5(. Спл. ()б получения оездислокаппонных»оно2В кристаллов кремния (3!.(тяг:пванием пз расплаi;;i пл i1охрял! скому с выращиванием участка монокрпстялля с .(;(яметром, меньшим дпамстРЯ 3! 13 ПРОЦСССЕ 13hlт 51 г и В Зо от.г((г()г()гг(пг!(. г тем, с то. с Пел)по обеспечен;!я 1 !зобретепие OTliocIITc5(и металлург>!и .!ОлуПР 0 ВОДИ и КО(3. Известны способы получештя бсздислокяцпонных мопокристаллов полупро()лдниклв ВblTяги.!3 1!! Иp. с)(ВЯIО) участок мо:(окрпсталла с диаметром, меиьп(;!м Дна<МЕГРЯ ЗатРаВКИ, и ПОДДЕРжПВЯЮт !)ЛОСК;(й (J)p01(T криста тс(изя111ыl. Извест((ые c,!Iocoohl позволя(от Выводить д;!с;I0Кс1ЦИП НЯ <(013LP> IIOCTb PACT>, ЩЕГÎ Ч Я.СТ51 Х. 1ель изобретения — создание тепло )ых условий, обеспечивающих устойчивый рост бездислокационных монокриста!I loB кремния в направлении (110). 11:)с t».> г !злбрстc!iiili 396124 Соста!!г!тег!ь С. Полякова Редактор К. Вейсоейи Тскред Л. Грачева Коррсктор Е. Хмелева Заказ G507 Изд. ¹ l924 Тираж 678 Подиысиое ЦНИИПИ Государствсииого комитег Совсга Чииистрои СССР ио дела!и иаоб!ретсгиг!! и открь!ти!! Москва, )l(-35, Р<гу!иокаи и;!о., z. 4/о Обт. тии. 1(острот!СКОГО уираи ie!«!и издательств, иог!и!рафаи и кииткио!! Торговля г!ездислокапионного .роста монокристаллов в направлении (110), величину осевого температу!р!!ого градиента в твердой фазе поддержива!от не болыпе 50 С/см.
