Материал для токопроводящей фазы резисторов
ОП l ÑAÍÈÅ
ИЗОБРЕТЕН НЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 504251
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ти», (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 27.02.74, (21) 2002869/24-7 (51) М. Кл. с присоединением заявки
Н01 С 7/00
Государственный комитет
Совета Министроа СССР оо делам иэооретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.02.76. Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 13.04.76 (53) УДК 621.316.84 (088.8) (72) Авторы изобретения
Г. В. Самсонов, И. Г. Буданова, Ю. М. Мудролюбов, Б. M. Рудь и О. И. Шулишова (71) Заявитель
Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН Украинской CCP (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯ1ЦЕЙ ФАЗЫ
РЕЗИСТОРОВ
Барий
Самарий
Бор
26,1-40,0
29,0-43,0
30,9-31,0
7- (от -70 до +170оС), 10 град
Состав, вес,%
Удельное электросопротивление при 20 С, 10 ом см
Ва $тп
31,0
40,0 29,0
32,8 36,2
26,1 43,0
3,1
+1,1
3 1.0
13,7
30,9
Известен материал для токопроводяшей фазы ре зисторов на основе карбидов ниобия, боридов кобальта, сложных карбидов переходных металлов.
Однако в процессе изготовления резисторов материал окисляется и разлагается; кроме того, диапа зон номиналов резисторов ограничен.
Цель изобретения - снизить значения температурного коэффициента электросопротивления. расширить диапазон номиналов и стабилизировать свойстsa материала в процессе изготовления резисторов.
Это достигается тем, что в качестве токопроводяшей фазы резисторов используют двойной гексаборид со следующим соотношением компонентов, вес.%:
В зависимости от соотношения компонентов материал обладает следующими характеристиками: удельное электросопротивление при комнатной темпер»туре изменяется в пределах (3,1-13,7) 10 ом см и
-3 термический коэффициент электросопротивления - в интервале температур от -70 до +170 C в пределах (1,1-." 2,9) .10 град
Некоторые составы и характеристики предлагаемого материала приведены в таблице.
504251
Формула изобретения
Барий
Самарий
Бор
26,1-40,0
29,0-43,0
30,9-31,0
Составитель Ц. Нестеренко
Редактор Н. Данилович ТехЗед А. Демьянова о КОИектор А. Лакид
Заказ 1663 Тираж 977 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытиЯ
113035, Москва, Ж-35, Раугиская наб.. д.4/5
Филиал ППП „Патент", г. ужгород ул. Гагарина, )01
Двойной борид получается по следующей технологии. Из предварительно прокаленных Sm О (750"С, 2 часа), В (170оС, 3 часа) и Ва Со3, взятых в нужноь4 соотношении, составляют шихту для совместного получения двойного борида (Ва,5т) В6 в интервале составов (Вст в о ) Иа (Sa04S O 6) g
При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчетного количества. Шихту прессуют в брикеты, загружают в тигли из т В, в качестве засыпки используютВа Eg . Образцы получают в вакуумной печи с начальным вакуумом l 10 мм ðò. ст. по следующему режиму: повышают температуру до 700оС, вы- держивают в течение 15 мин, затем повышают тем пературу до 1600оС и снова выдерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкрашают.
Полученные образцы раэмалывают, из порошка прессуют и спекают компактные образцы для измерения резистивных свойств при температуре 2050о С в
l течение 10 мин в вакууме.
Полученные составы обладают низкими значениями термического коэффициента сопротивления и дают возможность, изменяя соотношение компочентов, получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросонротивления.
4
Это позволит получать номинальные значения резйсторов более широкихдиапазонов„чем при обычно при. нятом изменении количественного соотношения; проводящая фаза-стекло, наполнитель. Предлагаемый материал не разлагается в процессе изготовления резисторов, устойчив в окислительных средах до ою
800 С, он может быть использован в качестве токопроводящей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промышленности.
Материал для токопроводящей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью снижения значений,тем- I пературного коэффициента электросопротивления, расширения диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовлеО ния резисторов, он содержит следующие ингредиенты, вес%:
