Гетероструктура

 

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.

2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры которой меньше диффузионной длины неосновных носителей.



 

Похожие патенты:

Светодиод // 484657

Изобретение относится к электролюминесцентным индикаторным панелям, в частности, к электролюминесцентным индикаторным панелям с высокой степенью зеркальности и высокой контрастностью

Изобретение относится к новой электролюминесцентной системе и к устройству и способу для ее изготовления

Изобретение относится к светильникам, предназначенным для уличного, промышленного, бытового и архитектурно-дизайнерского освещения

Изобретение относится к области энергосберегающих технологий, в частности при экономии электроэнергии, используемой для освещения магистралей, улиц, дорог, площадей и т.д

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в электронной промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых при создании устройств отображения информации (дисплеев, информационных табло и т.п.)

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к источникам питания (драйверам) мощных светодиодов

Изобретение относится к области светотехники

Изобретение относится к области освещения, в частности к источнику света, содержащему светоизлучающие кластеры

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при конструировании и изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
Изобретение относится к светотехнике, в частности к технологии обработки трубчатых люминесцентных ламп низкого давления
Наверх