Способ переноса скрытого электростатического изображения

 

О П И С A Н И Е (»)503235

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К ПАТЕНТУ (61) Дополнительный к патенту (51) М. Кл.

& 03 G 13/14 (22) Заявлено 29,10.69 (21) 1375606/28

-12 с присоединением заявкиГосударственный иамитет

Совета Миннатрав СССР аа делам изааретеннй н открытий (23) Приоритет- (32) 25.11.68 (31) Р 1810757.8 (33) ФРГ

Опубликовано 25.03.7%юллетень №11

{53) УДК

772.93 (088.8) Дата опубликования описания 28.04.76

Иностранцы

Рейнхольд Арнест, Ханс Триттлер и Юрген Эмиг (ФРГ) (72) Авторы изобретения

Иностранная фирма

"Хехст АГ (ФРГ) (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПЕРЕНОСА СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО

ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к способу rmayчения изображений в электрографии.

Известны способы переноса скрытого электростатического изображения с фото: полупроводникового слоя на спой восприн . 5 маюшего материала, например диэлектрика, во внешнем электрическом поле или при

:использовании механического давления.

Эти способы приводят к получению изображений с темным фоном и к повреждению, фотополупроводникового слоя.

С целью улучшения качества переноса, без применения давления и внешнего электрического поля, фотополупроводниковый слой выполняют полностью или частично из ор ганических комплексов передачи зарядов,,; который при толщине 8-15 мк может

, быть заряжен до 800 -1600 в, экспонирутот так, что на засвеченных местах напряжение составляет не менее 500 в, а на пробетп

20 ных - не более 300 в. Проводящйе мате- риалы подложек диалектрического и фотополупроводникового слоев при этом преиму « щественно заземляются.

Кроме того, фотополупроводниковый слой

Ю содержит фотополуйроводник - донор алектронов и активатор - акпептор электронов.

В качестве фотополупроводников используют ароматические углеводороды, такие как нафталины, антрацены, фенантрены, бензантрены, хризены, карбазолы, оксидазолы, триазолы,: имидазолы, имндазолтионы, оксазолы, дериваты тиазода и многие другие, причем пригодны, в частности, и полимеры одного или: нескольких винилгетеропиклических соединений, такие как Й -винилкарбазолы, с - винилкарбазолы, винилдибензофураны, фторы и им подобные.

В качестве активаторов используйотся, в частности, соединения, которые содержат сильные полярные группы, например, галогены, карбоксильную группу, диан- нитро-, эфироангидрид кислоты или хинонгруппирование. Наиболее пригодны такие соединения, как фпуоренон, в частности 2, 4, 7 - три нитро- 9 флуоренон, 2, 4, 5, 7- тетранитро

9- флуоренон или же соединения типа хлоранила.

Содержание активатора в пересчете на фотополупроводниковую субстанцию можно

508235

3 варьировать в различных количественных соотношениях, причем зачастую достаточны незначительные количества. В некоторых случаях целесообразно применять мольные соотношения 1:1 двух составляющих, причем содержание активатора нередко может составить приблизительно от 0,7 до 1,3 молей на 1 моль фотополупроводника.

Удельное сопротивление диэлектрического покрытия должно составлять 10 ом.см. 10

Пригодны воспринимающие материалы из проводящих бумаг с диэлектрическим покры тием из полистирола, ацетата целлюлозы и др.

Способ переноса состоит в заряжении 15 фотополупроводника, экспонировании изображения на фотополупроводник, находящийся в возможном контакте с диэлектрическим воспринимающим слоем. Если в качестве воспринимающего материала применяют высокоомный слой с гидрофильной поверхностью, то можно получать печатные формы. Получвние скрытого электростатического изображения может быть осуществлено с помощью металлических штифтов с достаточно высоким 5 электрическим импульсным напряжением.

Наиболее предпочтительные слои для осуществления способа.

Слой 1. Слой состоит из 1 моля 2, 4, 7 — тринитро-9-флуореца и поли-N -винил30 карбазола в мальцом соотношении 1:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола, Слой 2. Слой состоит из 17,8 вес.ч. фенантрена, 0,245 вес. ч. хлоранила и 26

35 вес. ч. поливинилацетата (мовилит 50 ).

Слой 3. Слой состоит из 16,6 вес. ч. флуорена, 0,36 вес. ч. 2, 4, 5, 7 «тетранитро-9-флуоренона и 26 вес. ч. поливинилацетата (мовилит 50 ).

Пример l. Фотополупроводник (слой 1) был нанесен на алюминизированную фольгу из полиэтилентерефталата толщиной

75 мт. (при толщине слоя 12 мк). Заряд определенный изопробным электростатическим вольтметром по методу Монро, составил

1400 в. Фольга была намотана на металли« ческий барабан и заряжена разрядом до

1300 в, причем алюминиевый слой бып за- О земпен с одного конца. Фотографическим объективом оригинал проецировался на фотополупроводниковый слой, при этом экспонирование оригинала было осуществлено двуми люминесцентными лампами зеленого цвета мощностью 15 вт фирмы Филипс.

Предельная величина заряда на участках изображения составила 900 в, а на пробельных - 300 в. После переноса скрытого элек тростатического изображения на высокоомный д»

4 слой на участках изображения было замерено напряжение величиной 290 в, а на пробельных участках такое напряжение составило меньше 10 в.

После проявления перенесенного скрытого изображения жидкостным проявителем была получена контрольная и свободная от основы копия.

Пример 2. На алюминиевую фольгу был нанесен фотополупроводниковый слой из 2, 4, 7- тринитро- 9- флуоренона и поли- И - винилкарбазола в мольном соотношении 0,8:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола. Слой был толщиной 10 мкм и мог быть заряжен до

1150 в.

Покрытая слоем алюминиевая фольга была намотана на барабан и заряжена коронным разрядом до 1100 в. Экспонирование было проведено также, как в примере 1.

На участках изображения была замерена предапьная величина заряда порядка 700 в, а на пробельных участках эта величина составила 220 в. После переноса скрытого изображения на высокоомный слой на учасч ках изображения напряжение составило 200 в, а на пробельных — от 0 до 3 в.

После проявления ферромагнитным проявителем с помощью магнитной кисти были получены контрастные копии хорошего качества без основы. формула изобретения

1. Способ переноса скрытого электростатического изображения, состоящий в передаче электростатических изображений с фотополупроводникового слоя, находящегося на проводящей подложке, на диэлектрический слой, также находящийся на проводящей подложке, который находится, например, в контакте со слоем фотополупроводника, отделении слоев друг от друга, проявлении и закреплении перенесенного изображения, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества переноса без применения давлении и внешнего электрического поля, фотополупроводниковый слой состоящий полностью или частично из органических комплексов передачи зарядов, заряжают до

800»1600 в при толщине 8-15 мк и экспонируют так, что в участках изображения напряжение составляет не менее 500 в, а на пробельных не выше 300 в, причем проводящие подложки слоев преимущественно заземляют во время контакта.

2. Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что фотополупроводниковый слой экспонируют так, что разность напряжений участков изображения и пробельных учас вков лежит в пределах от 500 до 900 в.

608235

«(," осуавитейь Э Почтарь

Редактор А. Бвр Текред А, Лемьянова Корректор Л. Тромбола

Заказ И ее Тираж 551 Подписное

ИЙИИПИ Государственного комитета Coaere Министров СССР по делам изобретений и открытий

113036, Москва, Ж-Зб, Раушскаа наб„д. 4)5

llIIIl Патент"

3. Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что в качестве фотополупровод» пикового слои применяют 2, 4, 7 - триниьро-9- флуоренон и полимер одного или не 5 скольких винилгетероциклических соединений в соотношении от 0,7 до 1,3 молей фпуо .ренона на 1 мопь мономерного винилового соединения.