Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия

 

Способ получения n⁺-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 10¹⁹ см^-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2· 10^-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 · 10^-4 атм.