Запоминающее устройство

 

I

М и

О П И С А Н И Е 4343 (ii) 5I

Сова Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф.фЪ,ф

4ак - ° (61) Дополнительное к авт. свид-ву 227386 (22) Заявлено 05.05.74 (21) 2023922/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.05.76. Бюллетень ¹ .8

Дата опубликования описания 11.08.76 (51) М. Кл. G 11С 11/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 681.327.66 (0SS.S) (72) Авторы изобретения

В. С. Голоборщенко, Л. E. Лобаченко, В. В. Михелев и В. Д. Трофимов (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитных запоминающих устройствах, у которых обмотка записи выполняет и функцию считывания.

Известно запоминающее устройство, защищенное основным авт. св. 227386.

Описываемое устройство является развитием известного, защищенного основным авторским свидетельством, и отличается от него тем, что в него введена цепь компенсации помехи, подключенная к первому и второму входам усилителя воспроизведения. Это повышает помехоустойчивость устройства. Кроме того, в устройстве цепь компенсации помехи выполнена на двух параллельно-встречно соединенных диодах, которые через резисторы подключены ко входам цепи компенсации помехи.

На чертеже показана функциональная схема описываемого устройства и приняты обозначения: 1 — цепь компенсации помехи; 2— усилитель воспроизведения; 3 — трансформаторная схема съема; 4 — разрядный формирователь; 5 — обмотка записи-считывания, состоящая из двух частей 6 и 7; 8 — элементы памяти. Цепь 1 компенсации помехи, например, содержит два параллельно-встречно соединенных диода 9 и 10 и резисторы 11 и 12.

В такте считывания, когда один из элементов 8 памяти переключается адресным током (на чертеже не показано), через трансформаторную схему 3 съема на вход усилителя 2 .проходит сигнал считывания, составляющии, как правило, от нескольких милливольт до нескольких десятков милливольт. На такие сигналы диоды 9 и 10 цепи 1 компенсации помехи практически не оказывают никакого влияния, и сигнал считывания на вход усилителя 2 проходит практически без искажений.

В такте записи при подаче тока от разрядного формирователя 4 вследствие неидентичности обеих частей 6 и 7 обмотки 5 записи— считывания и неидеальности параметров трансформаторной схемы 3 съема на входе усилителя 2 возникают помехи, которые ограничиваются с помощью диодов 9 и 10 цепи 1 ком2р пенс ации.

Номинальные значения резисторов 11 и 12 ограничены снизу — предельно допустимыми амплитудами импульсов токов диодов 9 и 10, сверы — допустимым уровнем помех íà вхо де 1 сизитезя 2

Конкретные значения резисторов 11 и 12 следует выбирать с учетом волнового сопро30 тпвленпя линии, подключенной ко входу уси514343

Формула нзооретсния

Составитель А. Воронин

Техред А. Камышникова

Редактор Л. Тюрина

Корректоры: В. Петрова и О. Данишева

Заказ 1833/8 Изд. ¹ 1521 Тираж 723 Подписное

Ц1-(ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий! 13035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4 5

Типограф.;;., пр. Сапунова, 2 литсля 2, и входного соп1рогивленпя этого cèëителя.

1. Запоминающее устройство по авт. св.

227386, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости устройства, оно содержит цепь компенсации помехи. I .î;.ключенную к псрвому и второму входам у и лителя воспроизведения.

2. Устройство по п. 1, от.шча>ощееся тем .то цепь компенсации помехи выполнена на двух параллельно-встречно соединенных диодах, которые через резисторы по,.клю.ены ко входам цепи компенсации помехи.

Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти
Наверх