С использованием магнитных элементов (G11C11/02)

G   Физика(403185)
G11C     Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)
G11C11/02                     С использованием магнитных элементов(148)

Способ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации // 2771596
Изобретение может быть использовано в устройствах для записи и хранения информации. Cпособ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации включает формирование запоминающего элемента из монокристалла варвикита, в котором запись информации осуществляют путем установления температуры монокристалла варвикита выше температуры магнитного фазового перехода, приложения вдоль оси легкого намагничивания монокристалла варвикита слабого магнитного поля и перевод монокристалла из парамагнитного в магнитоупорядоченное состояние путем охлаждения в этом поле до криогенной температуры: температуры жидкого водорода или жидкого гелия, а хранение информации в запоминающем элементе осуществляют при криогенной температуре в отсутствие магнитного поля.

Накопитель магнитный с разделёнными областями // 2757659
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности хранения информации.

Устройство для переключения мемристора // 2744246
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.

Способ управления работой мемристора и устройство для его осуществления // 2737794
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.

Накопитель на микросхемах памяти // 2531576
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании накопителя только на магнетиках.

Магнитный элемент и способ контроля параметров магнитного вихря в ферромагнитных дисках // 2528124
Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов.

Способ определения тока и вращательного момента в многослойной структуре в приближении сильной связи // 2436176
Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. .

Устройство энергонезависимой памяти // 2374704
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .

Способ стирания записи с магнитного носителя и устройство для его осуществления // 2217816
Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др. .

Энергонезависимая ячейка памяти // 2215337
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике. .

Способ аналоговой магнитной записи // 1635210
Изобретение относится к акустоэлектронике, в частности к устройствам на основе магнитоупругих волн, и может использоваться для запоминания аналоговых сигналов в магнитоакустических устройствах обработки информации и применяться в различных радиоэлектронных системах.

Ферритовый материал // 1633465
Изобретение относится к ферритовым материалам с прямоугольной петлей гистерезиса, используемым д 7я изготовления элементов памяти оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин. .

Способ аналоговой магнитной записи // 1615804
Изобретение относится к акустоэлектронике и может найти применение при записи сигналов на магнитных носителях. .

Элемент памяти афанасьева // 1330653
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения накопителей ПЗУ. .

Элемент памяти // 1265854
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в устройствах для сохранения.информации при перерывах напряжения питания . .
 
.
Наверх