С использованием магнитных элементов (G11C11/02)
G11C11/02 С использованием магнитных элементов(148)
Изобретение может быть использовано в устройствах для записи и хранения информации. Cпособ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации включает формирование запоминающего элемента из монокристалла варвикита, в котором запись информации осуществляют путем установления температуры монокристалла варвикита выше температуры магнитного фазового перехода, приложения вдоль оси легкого намагничивания монокристалла варвикита слабого магнитного поля и перевод монокристалла из парамагнитного в магнитоупорядоченное состояние путем охлаждения в этом поле до криогенной температуры: температуры жидкого водорода или жидкого гелия, а хранение информации в запоминающем элементе осуществляют при криогенной температуре в отсутствие магнитного поля.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности хранения информации.
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании накопителя только на магнетиках.
Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов.
Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. .
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .
Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др. .
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике. .
Изобретение относится к акустоэлектронике, в частности к устройствам на основе магнитоупругих волн, и может использоваться для запоминания аналоговых сигналов в магнитоакустических устройствах обработки информации и применяться в различных радиоэлектронных системах.
Изобретение относится к ферритовым материалам с прямоугольной петлей гистерезиса, используемым д 7я изготовления элементов памяти оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин. .
Изобретение относится к акустоэлектронике и может найти применение при записи сигналов на магнитных носителях. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения накопителей ПЗУ. .
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в устройствах для сохранения.информации при перерывах напряжения питания . .