Чувствительный элемент датчика интегрального теплового потока нернста-эттингсгаузен

Авторы патента:

H01L27/16 - содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38)

ЫСЕСОР;.:;.;-.А <

@;1";й-:рт

О Л И С А Н оо Й

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

<в Ь Ы

Союз Советских

Социалистических

Республик (и) 524263

К АВТОРСКОМУ СВМДЙТЙЛЬСТВМ (61) Дополнительное к авт, свод-ву(22) Заявлено31.01.75 (21) 2100951/2S с присоелиненнем заявки № (23) Приоритет(51) М. Кл.о

H 01 L 27/16

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам йзооретеннй и открытий (43) Опубликовано 05.08.76Бюллетень № 29 (53) УДК 621,362 (088.8) (45) Дата опубликования опнсаннй22.11.76

С, И. Радауцан, Э. K. Арушанов и В, И. Пругло (72) Авторы изобретени»

Институт прикладной физики АН Молдавской CCP (71) Заявитель (54) ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДАТЧИКА ИНТЕГРАЛЬНОГО

ТЕПЛОВОГО ПОТОКА HEF HCTA-ЭТТИНХ:ХАУЗЕНА

20 где В

Изобретение относится к измерительной технике, а точнее к устройствам, служащим . для регистрации и измерения интегральных ! ,тепловых потоков.

Известны датчики Нернста- Эттингсхаузьна, чувствительные элементы которых выполнены: из висмута, сплава висмута;(97% ) ат с сурьмой (ЭЪ ), эвтектики CcLgA5 %АВ ! ат

;монокристаллов и пленок CEl A52 эь;тектики Jn Sb Mc Sb.

Во всех указанных материалах при неболь- шнх магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента

Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводности Х! 5 I

I от магнитного поля В, что определяет опти;мальную величину магнитного поля, при ко торой чувствительность датчика

- магнитная йндукция, вЂ” коэффициент Нернста- Эттингсхау-, зена, Х - теплопроводность, принимает мак-, симальное значение. 25, 11елью изобретения является исполжова- ю ние,"чувствительного элемента из матери зла с неубывающим отношением коэффициен1 та Нернста- Эттингсхауэена к теплопроводности в широком интервале магнитных полей, что открывает, возможность регулиро вания: и, в частности повышения, чувствительности эа счет увеличения величины магт нитного поля.

Цель достигается применением монокриб) талла сурьмянистого кадмия в качестве чувт-, ствительного элемента датчика интегрально;го теплового потока Нернста- Эттингсхаузеиа, Чувствительный элемент представляет с .бой длинну р пластину нелегированного мон кристалла антимоиида кадмия, вырезанную для получения наибольшего выходного car нала вдоль кристаллографичес«ого направлеф ния (001). Приемную часть пластины, вви- ну большой прозрачности оурын нноного Ец » мия в инфракрасном диапазоне, целесообраэ но покрыть чернением любым иэ известных способов, обеспечив диэлектрическую раз- вязку между кристаллом и чернью при элекф524263

° в ас

Щ с

8 12 1Þ 2Ю 24 М па иитыв илиф цим Вя

Составитель В. Орлов, Редактор . Н. Вирко Техред О, Луговая, Корректор Н. Бугакова.

Подн

Заказ 4975/420 Тираж 963

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, уп. Проектная, 4 з 4 ропроводности последней, соизмеримой с Менять сурьмянистый кадмий в качестве электропроводностью С Д S п. чувствительного элемента датчика Нернста-

На чертеже изображены зависимость д . Эттингсхаузена, обеспечив при этом возможот В для сурьмянистого кадмия (кривая 1); рость управления чувствительностью прибо и для сравнения то же зависимосты для ар», I ра без ухудшения его параметров. сенида кадмия (кривая 2), являющегося на» илучшим материалом для .датчиков, теплового потока. Формула. изобретения

Анализ величины отношения коэффициента Нернста- Эттингсхаузена,к ТУц64ПРФ -"- . |O, Применение монокристалла сурьмянис1 ности, а также экспериментально найденная . того кадмия в качестве чувствительного элеПинейная зависимость интегральной фвстви- мента датчика интегрального теплового по

\ тельности от магнитного поля позволяют Ð>. тока Нернста-Эгтингсхаузена.

Чувствительный элемент датчика интегрального теплового потока нернста-эттингсгаузен

Похожие патенты:

Фототермоэл емент // 173341

Устройство для температурной стабилизации фотодиодов // 143481

Термоизмерительная система и способ изготовления информационной микросхемы для термоизмерительной системы // 2247442

Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования // 2465685

Электронное устройство // 2515214

Изобретение относится к электронной технике. Сущность: электронное устройство содержит термоэлектрический преобразователь (100) с гетероструктурными полупроводниковыми слоями (38), выполняющими термоэлектрическое преобразование, фотоэлектрический преобразователь (102), в котором, по меньшей мере, часть гетероструктурного полупроводникового слоя (38) выполняет фотоэлектрическое преобразование, транзистор (104) и/или диод, содержащий, по крайней мере, часть полупроводниковых слоев гетероструктуры, выполняющих функции рабочего слоя. Технический результат: возможность использования технологии монолитных интегральных схем для объединения термоэлектрического преобразователя с фотоэлектрическим преобразователем и транзистором и/или диодом, предотвращение помех между термоэлектрическими элементами p-типа и n-типа. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.

Способ изготовления датчиков температуры и теплового потока (варианты) // 2537754

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в авиационной и космической технике. Предложено формирование датчика температуры и теплового потока осуществить непосредственно на поверхности модели разной степени кривизны без морщин и без нарушения целостности модели и физических процессов обтекания на поверхности модели и газового потока. Термопары датчиков изготовляют из пленки хромель-константана способом катодного напыления в вакууме. В качестве изоляционной пленки между моделью и термопарой, между термопарами выбрана окись алюминия. Верхняя поверхность термопары защищена от окисления жаростойкой изоляционной пленкой толщиной 0,80-0,1 мкм. Толщина обкладки с выводами термопары 0,3-0,4 мкм. Обкладки с выводами формируют через маски (из металла или пленки полиимида) и способом электрической гравировки напряжением «карандаша» 6-10 В. Технический результат - повышение функциональных возможностей датчиков температуры и теплового потока. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Полупроводниковое устройство и способ для его производства // 2565360

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность: полупроводниковое устройство включает полупроводниковую подложку, композиционную металлическую пленку и вывод для измерения. Композиционная металлическая пленка нанесена на переднюю поверхность или на заднюю поверхность полупроводниковой подложки и содержит первый слой металлической пленки и второй слой металлической пленки, который соединяется с первым слоем металлической пленки и имеет разные коэффициенты термоЭДС с первым слоем металлической пленки. Вывод для измерения позволяет измерять разность электрических потенциалов между первым слоем металлической пленки и вторым слоем металлической пленки. Технический результат: повышение чувствительности и точности измерения температуры. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.