Способ выявления примесной неоднородности в монокристаллах кремния

 

Всесоюэикя

° ют&тетио . -хн Ф 9Си о ев вет ;! 526037

ИЗОБРЕтения т.оюз Советских

Социапистимеских

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву М(22) Заявлено15.05.75 (21) 2137 92/25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано25.08.76.Бюллетень № 31 (4Ь) Дата опубликования описания 03.11 76 (5() М. Кл, I ! It 01 j. 21/306

Государственный номптет

Свевта Министров СССР по делам иеаоретений и открытий (3 ДК ь. 1.3ц

10ВВ.Я) И. Н, Воронов, В. П. Гришин, Л. П, К .геру .ница, Л, В. Лайнер и Е. A. Носова (72) Авторы изобретения

Государственный ордена Октябрьсокй Революции научноисследовательский и проектный институт редкометаллической промьпцленности (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ПРИКЕСНОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ

В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к области электрохимической обработки полупроводниковых материалов, в частности кремния.

Известен способ электрохимического травления кремния в,электролитах, содержащих 5 плавиковую кислоту )1).

Однако этот способ имеет высокую скорость травления, в результате чего поверхность имеет равномерный фронт травления.

И;вестен также способ выявления примес- î ной неоднородности в монокристаллах кремния электрохимическим травлением в электролите, содержащем плавиковую кислоту (2<, Однако получаемые картины травления имеет низкое качество, особенно в случае j5 высокоомных кристаллов электронного и дырочного типа проводимости и кристаллов, легированных бором и фосфором с удельным сопротивлением 10 ом.см и 0,5 ом см соответственно. Причиной низкого качества кар20 тин травления является пленка, образующаяся при электрохимическом травлении на поверхности исследуемого образца. Химическим травлением не удается полностью удалить пленку, сохранив при этом четкую картину 25, неоднородности по всей исследуемой поверх ности.

Кроме того, метод отличается достаточj ной сложностью и продолжительностью воьремени (двустадийность процесса), большим расходом агрессивных компонентов, используемых в растворах (концентрированные кислоты нг; нна. иск Сааб).

o, 3! Цель изобретения — повысить четкость картин примерной неоднородности.

Это достигается тем, что электрохимическое травление ведут в смеси 25-30;о-ной, плавиковой кислоты с водным раствором двуI, хромовокислого аммония концентрацией 2 5r/л взятых в соотношении 1 4.

Предлагаемым способом исследованы продольные и поперечные сечения монокристал лов кремния электронного типа проводимости,, выращенные по методу Чохральского и мето .ду бестигельной зонной плавки с удельным сопротивлением от 0,.5 до 1000 ом см. Электрохимическое травление осуществляют в смеси 25-30". -ной цлавиковой кислоты с

Составитель Е. Бычков

Техред О. Луговая; Корректор С. Шекмар

Редактор, О. Стенина

Заказ 5139/483 Тираж 963 Подписное

ИНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

$.13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Водным раствором двухромовокнслого аммоНия в соотношении 1 4, Исследуемый образец является анодом, а като ом служич платиновая (танталовая) пластина. Плотностьто; с

) ка 30 ма/см, время травления 5-15 мин. 6

Способ может широко применяться для коцтрОля Вьц2ащивания монОкристаллОВ B0Ji jj

ПРОВОДНИКОВ, Î

Формула изобретения

Способ выявления примесной неоднородно -, ти.в монокристаллах кремния электрохими-, 35 ческим травлением, В электролите, содержашем плавиковую кислоту, о т л н ч а юшийся тем, что, с целью повышениячеткости картин примесной неоднородности, электрохимическое травление ведут в смеси 2530%> «ной плавикОВОй кислОты с ВОдным раст вором двухрояовокислого аммония концентрацией 25 г/л, взятых в соотношении 1:4.

Источники информации, принятые во Внимание при экспертизе:

1. РИй рь Research Reports, 5орp ernents. 1973, % 1, р. 42.

2. Мильвидский М. Г., Беркова А. В.

Научные труды "Гиредмета". Т, ХЦ „ 1974, с. 134-141 (прототип), 1

Способ выявления примесной неоднородности в монокристаллах кремния Способ выявления примесной неоднородности в монокристаллах кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Изобретение относится к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с поверхностями, применимыми в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах, в частности масс-спектрометрах

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к технологии обработки полупроводниковых материалов, и может быть использовано при обработке полупроводниковых пластин кремния

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики
Наверх