Стекло для защиты полупроводниковых приборов

 

Ь c (. c o Io B H R Vi

Г Y G h т i о - т е х н и ч е о н " s о I j:., i с.н ifgj

ОП ИСАЙКЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 543625

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву г (22) Заявлено 07.07.75 (21) 2152080/33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.01.77. Бюллетень № 3 (45) Дата опубликования описания17.05.77 (51) М. Кл,е

С 03 С 3/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК

666.112.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Я. Афанасьев, К. Г. Марин, В. К. Любимов, А. И. Хохлов, Б. И. Шевченко и Е. А. Коптев (71) Заявитель (54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ нии в качестве стабилизирующего слоя да ного стекла (йо ) находится в пределах (6-10) ° 10"

1/см, что не обеспечивает необходимых стабилизирующих свойств и приводит к дрейфу параметров прибора.

Целью изобретения является снижение температуры оплавления стекла и придание стеклу стабилизирующих свойств.

Это достигается тем, что легкоплавкое стекло содержит указанные ингредиенты в следующих количествах, вес.%:

РЬС1

S!O, В2 ОЗ

TiO3

CdO

ZnO

В таблице даны их свойства.

65 — 76

8 — 14

6 — 10

1 — 3

1 — 4

2 — 4

По своей химической устойчивости в воде стекла относятся к первому гидролитическому классу.

Из приведенных в таблице характеристик видно, что температура оплавления указанных стекол более низкая, чем у известного стекла. Кроме

Изобретение относится к составам легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике для стабилизации и защиты полупроводниковых приборов и интегральных схем.

В микроэлектронике известны легкоплавкие стекла на основе PbO, Si03, В303 для герметизатди активных элементов полупроводниковых приборов (1,2) .

Эти стекла характеризуются повышенной влагостойкостью, необходимой адгезией и согласо- 1о ванием с коэффициентом термического расширения полупроводниковых материалов. Но в указанных составах отсутствуют стекла, имеющие одновременно низкую температуру оплавления (примерно

400 С) и наряду с этим обладающие еще стабилизи- 15 рующими свойствами значений параметров полупроводниковыхых приборов.

Наиболее близким к изобретению является стекло, включающее PbO, Si03> В303, Т103, CdO, ZnO (3). 20

Температура оплавления указанного стекла довольно высокая (510-520 С), учитывая необходимость нанесения его на пленочную структуру

МДП-транзистора. Концентрация заряда в поверхностных состояниях MHII-транзистора при нанесеконкретные составы стекол и

543625 того, значение концентрации заряда в поверхностных состояниях указывает на возможность получения полупроводниковых приборов со стабильными параметрами.

Таким образом, применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позволяет снизить температуру процесса оплавления прис мерно на 100 С, а следовательно, использовать их в стандартной технологии МДП-транзисторов с алюминием в качестве проводящего слоя.

Кроме того, стандартная технология МДП-транзисторов предусматривает стабилизацию параметров прибора путем дополнительного осаждения сиионам.

8 10"

9 10

9 5 10

410+10 3 . 10

400+10 1 ° 10"

410+10 4, 10

84+4

2,0

87+4

3,0

82+4

4,0

ЗО

Стекло для защиты полупроводниковых приборов., включающее РЬО, Я Оз, ВзОз, Т Оз, СТО, ZnO, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения температуры оплавления и придания стеклу стабилизирующих свойств, оно содержит указанные ингредиенты в следующих количествах, вес.%:

РЪО 65 — 76

Si 0 8 — 14 2 ОЪ 6 — 10

Составитель Г. Буровцева

Техред А. Демьянова Корректор С. Болдижар

Редактор Л. Народная

Тираж 57 1 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6122/52

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

72,5 13 5 65 2,5 3,0

76,0 9,8 8,9 1,3 1,0

65,0 14,0 10,0 3 0 4,0

Формула изобретения ликата свинца или фосфорно-силикатного стекла, обеспечивающих неподвижность ионов щелочных металлов, ионов водорода и других заряженных примесей.

Использование же герметизирующего стекла данного состава позволяет исключить из общей технологии изготовления полупроводниковых приборов операцию по нанесению стабилизирующего слоя.

В качестве исходного сырья используются окислы указанных элементов со спектральной чистотой по отношению к щелочным и щелочно-земельным 1 02 1 — 3

CdΠ1 — 4

Zn 0 2 —,4.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР N 381619, 35 М.Кл. СОЗ С 3/10, 1971 r.

2, Авторское свидетельство СССР Р 400541, М.Кл. С 03 С 3/10, 19771 г.

3. Авторское свидетельство СССР N" 258544, М.Кл. С 03 С 3/10, 1966 г. прототип.