Материал для изготовления тонкопленочных резисторов


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОЛИ йЕ

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Реслфлик

К АВ7ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Доголпительное к авт. саид-ву— (22) 3 а я вл ено 21.07.75 (21) 2156759/21 (51) М,кл.з Н 01 С 7/00 с присоединением заявки—

Государствеиньй комитет

Совета Министров СССР ло лелем изобретений и аткрь!тий (23) Приоритет—

143) Опубликовано 05,02.77. Бюллетень ¹ 5 (53) УДК 621.396. .6-181 48 (088.8) (-:5) Дата опубликования описа!11!я 01.0:3.77 (72) Авторы изобретения Б. А. Бочкарев, В. A. Бочкарева и T. H. Войнова (?1) Заявитель (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТО11КОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Металлосилицидный сплав 15

Мул лит 85

Изобретение относится к области производства деталей электронной техники.

Известен материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий окислы кремния, алюминия, оария, .кальция, железа, титана, натрия и калия (11.

Недостатком этого материала является завышенное значение э. д. с. шума, что затрудняет поз1у11ение высоких номи:Iаль?1ых Зс:1!!чин резисторов с требуемыми параметрам?!.

Известсч также гматериал для пзготозления тонкопленоч-Ib?x рез;1сторов, в гкотором формирование диэлектрической фазы осуществляется с помощью окислов лантаноидов, и содержащий (в iBec. %):

Металлосилицидный сплав 11 — 80

Окислы лантаноидов 20 — 89 (2j

Однако у этого материала недо "таточно высо!кая стабильность, Цель изобретения — "О ышение стабильности резисторов.

Достигается это тем, что материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий,металлосилицидный сплав и диэлектрик, в качестве диэлектрика содержит муллит,,при следующем соотношении исходных компонентов (в объемных %):

Металлосплпцндный сплав 15 — 80

Мул лит 20 — 85

В отличие от других диэлектриков муллит позволяет создать, материал, пз которо-.о может быть, получена высокоомная керметная пленка, обладающая малой величиной ТКС и низким уровчем э. д. с. шумов при объемном количестве д!.электрической фазы в пленке, доходя?цем до 70%. Существенным преимуществом является то,;о изготовленные из него рсзнстпвные пленки допускают значи. тельно большую удельную мощность рассеяния при меньшем необратимом изменении величины сопротивления.

Примеры получения материала для изготовления тонкопленочных резисторов.

Пример 1 (для минимума) 2p,Смесь, порошков (в объемных %):

25 Эта смесь после испарения может дать пленку с поверхностным сопротивлением

40 ком!кв прн толщине 800 А. ТКС меньше

200 10 /" С. Стабильность величины сопротивления после 1000 и преоывания под нагрузкой 1 вт/см не больше 0,5%.

546021

Металлосилицидный сплав 50

Мулл ит 50

Формула изобретения

Металлосилицидный сплав 80

Мулл ит 20

Составитель П. Лягни

Техред В. Рыбакова

Редактор Н. Петрова

Корректор В. Гутман

Заказ 83/143 Изд. № 421 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент»

Пример 2 (для среднего значения)

Смесь порошков (в объемных %):

Такая смесь после испарения может дать пленку с поверхностным сопротивлением

30 ком/кв (толщина, ТКС и стабильность сопротивления такие же, как в первом прнмере).

Пр и,м е р 3 (для максимума)

Смесь порошков (в объемных %):

Эта смесь после испарения может дать пленку с ;поверхностным сопротивлением

10 колю/кв при остальных хара|ктеристиках, равноценных указанным в первом примере.

Этот,материал используется для получения керметных пленок термическим испарением его в .вакууме с помощью обычных приемов для пленочной технологии. Пленки подвергают термической обработке для стабилизации электрических характеристик.

Оптимальную темлературу и длительность обработки пленок подбирают опытным путем в .зависимости от свойств подложки.

Предлагаемый материал позволяет получать высокоомные резистивные;пленки, вели5 чина старения которых примерно в восемь раз меньше, чем у известных материалов.

Материал для изготовления тонкопле:,очных резисторов, содержащий металлосилицил,ный сплав и диэлектрик, отличающийся тем, что, с целью,пювышения стабильности резисторов, в качестве диэлектри ка материал содержит муллит, при следующем соотношении исходных 1компонентов (в объемных %):

Металлосилицидный сплав 15 — 80

Мулл ит 20 — 85

Источники информации, принятые во вни.мание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 352319, кл. Н 01 С 7/00, 12.05.70.

2. Авторское свидетельство по заявке № 1847999/21, кл. Н 01 С 7/00, 20.11.72 (прототип).

Материал для изготовления тонкопленочных резисторов Материал для изготовления тонкопленочных резисторов 

 

Похожие патенты:

Резистор // 520627

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх