Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

O Il И С А Н И Е» 51б167

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДИТЮДЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. св д-ву (22) Заявлено 15.07.74 (21) 2043724. /26-21 (51) М Кл

Я01 С 7/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.05.76.Бюллетень № 19 (53) УДК 621.396.69 (088.8) (45) Дата опубликования описания 03.06.76

Государственный иомитет

Совета й1иннотроа СССР оо делам изобретений и o êðûòíé (72) Авторы изобретения

М. Г. Слушков, А. М. Яковлева, B. В. Марчевская, В. И, Карпеченков, Е, И. Астров, А. Н. Николаев и (?1) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной технике, к области резисторостроения и может быть применен в качестве проводяшего слоя для тонкопленочных резисторов и для элементов схем методом катодного распыления в плазме газового разряда низкого давления.

Известен реэистивный материал на основе соединения тугоплавких металлов, например нихрома, и окиси .алюминия. 10

Однако у сушествуюшнх нихромовых составов сравнит .льно высокий уровень значений ТКС и нестабильность параметров в условиях длительного воздействия температуры и электрических нагрузок. 15

С иелью повышения стабильности парам тров и снижения уровня э.д.с. шумов резисторов материал дополнительно содержит углерод при следуюшем количественном соотношении исходных компонентов (в вес.%): 20

Окись алюминия 2-15

Углерод О, 1-2

Ни хром Остальное.

Резистивньтй материал в сочетании с ионноплазменным распылением обеспечивает диа-т 25 пазон удельного сопротивления от сотен Ом/Ь дс десятков кОм/ig, со значением ТКС не ,более «+ 300.10 1/ С с управлением техпропесса и электрофиэических свойств пленок, Введение в нихром окиси алюминия рас ширяет диапазон удельного сопротивления до десятков кОм/ Се.

Введение в нихром углерода повышает теплостойкость материала, стабильность его, а также "нижает ТКС смешением его в диапазоне сотни Ом/ст — 5 кОм/ 0 в отрицательную область.

Тонкие пленки иэ реэистивного материала имеют достаточно хорошую воспроизводимость номинальных значений сопротив-. ления, высокую адгезию к подложке сохраняют постоянный фазовый состав для всех режимов нанесения и термообработки, однородную структуру, что обеспечивает уровень э.а,с. шумов во всем диапазоне номиналов до 1 мкв/в.

515167

Формула изобретения

Резистивный материал на основе соединения тугоплавких металлов, например нихрома, и окиси алюминия, о т л и ч а юл и и с я тем, что,с целью повышения стабильности параметров и снижения уровня э.д.с. шумов резисторов, он дополнительно содержит углерод при следующем количесвенном соотношении исходных компонентов (в вес,%):

Окись алюминии 2-15 и Углерод О, 1-2

Нихром Остальное.

Составитель Т. Богдалова

Редактор В. Дибобес Техред Г. Родак Корректор .Т. Кравченко

Заказ 1263/89 Тираж 752 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035,Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх