Способ подключения транзисторов

 

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

ОП ИСАЙ ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.07,74 (21) 2041324/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,03.77, Бюллетень №11 (4б) Дата опубликования описания 12.05.77 (11)681728 (51) М. Кл.е Н01 L21/66

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений н открытий (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю, А. Горобец и А. Н. Пащинин

I, 1 (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может применяться для подключения транзисторов с жесткими вьводами к измерительной аппаратуре.

Известен способ подключения транзисторов для измерения, включающий базирование приборов по корпусам с последующим выпрямлением выводов для правильного подключения к подводимым контактам (1).

Данный способ непригоден для подключения транзисторов в пластмассовых корпусах с жесткими вьводами, в которых возможно смещение выводов относительно корпуса прибора.

Наиболее близким к предлагаемому является способ подключения транзисторов, включающий базирование приборов в зоне подключения, подвод контактов (2).

В известном способе базирование прибора включает разводку в требуемое положение выводов прибора, что является недопустимым для транзисторов с жесткими выводами. По этой причине часть годных приборов, имеющих смещение вьводов относительно корпуса, при подключении их для измерения параметров забраковывалась. Кроме того, известный способ недостаточно производителен.

Цель изобретения — увеличение производительности и повышение процента выхода годных приборов.

Для этого по предлагаемому способу базиро5 вание транзисторов производят за счет установки

Их выводов по подводимому прихвату, например, в виде электромагнитной заслонки.

На чертеже изображено устройство, реализующее предлагаемый способ.

Транзисторы в пластмассовых корпусах с жесткими выводами, заполняющие лоток 1, удерживаются отсекателем 2, пропускающим их по одному вниз, до подводимого прихвата, выполненного, например, в виде электромагнитной заслонки 3. Пос15 ле базирования выводов прибора по электромагнитной заслонке подводятся контактные головки 4 с тремя парами контактов, выставленных относительно заслонки.

Выводы прибора зажимаются между тремя парами контактов, затем электромагнитная заслонка отводится и происходит измерение параметров приборов. Отсекатель, контактные головки, заслонка управляются соответственно электромагнитами 5, 6 и 7.

551728

ЦНИИПИ Заказ 131/29

Тираж 1002

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4

По окончании замеров контактные головки отводятся и транзистор попадает в сортирующее устройство (на чертеже не показано). Затем цикл работы повторяется.

Формула изобретения

Способ подключения транзисторов с жесткими выводами для измерений, включающий базирование приборов, подвод контактов, отличаюшийся тем, что, с целью увеличения производи тельности и повышения процента выхода годных приборов, базирование транзисторов производят за счет установки их выводов по подводимому прихвату, например, в виде электромагнитной за5 слонки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Оборудование для производстваполупроводниковых диодов и триодов под ред.Масленникова

1р П. Н. "Энергия", 1970 г.,стр. 132, рис. 13-17.

2. Авторское свидетельство СССР N 311317, М.кл. Н 01 Р7/68. 1967 (прототип) .