Стекло
« »
„юч;.t-гтис
О П И " ч Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
0 1 5 523 П
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2101963/33 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет
Опубликовано 30.03,77. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 03.05.77 (51) М. Кл е С ОЗС 3/12
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 666.117.9:
537 226(088 8) (72) Авторы изобретения А. К, Яхкиид, В. А. Харьюзов, А. М. Тютиков, Н. В. Овчаренко и Г. А. Чебан (71) Заявитель (54) СТЕКЛО
Изобретение относится к области производства стекла, а именно к стеклам, имеющим полупроводниковый характер электропроводности, сочетающийся с наличием вторичной электронной эмиссии, и может быть применено в электронной и радиоаппаратуре, в частности в электронных умножителях с непрерывными эмиттерами, например в микроканальных усилителях яркости изображения.
Известно стекло, включающее Те02, Ч Оз, СиО, СеОз, Nb>O, %0з (1).
Недостатком известного стекла являются: низкие значения вязкости в интервале температур размягчения и высокие значения коэффициента термического расширения, что делает невозможным вытягивание из расплава стекловолокна, состоящего из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла-сердцевины, вследствие более высокой вязкости растворимого стекла.
С целью повышения вязкости и снижения коэффициента термического расширения стекла предлагаемое стекло дополнительно содержит SrO и один окисел из группы ВаО, Ge02, В20з, ТазОз при следующем соотношении компонентов, вес. %: Те02 48 — 58; 1 зОз 17 — 28;
СиО 3 — 11; СеО2 б — 8; ХЬзОз 3 — 7; WO3 б — 10;
SrO 1 — 4 и один окисел нз группы: ВаО, Ge02, ВзОз, Та Оз — 1 — 6.
Составы, электрические и эмиссионные свойства предлатаемых стекол приведены в табл. 1.
В табл. 2 приведены значения вязкости стекла в интервале температур размя гчення и ко5 эффициентов термического расширения, обеспечивающие совместимость полупроводникового стекла оболочки с растворимым стекломсердцевиной.
Стекло обладает достаточно высокой хими10 ческой устойчивостью: потери в весе при действии воды с температурой 80 С за 6 час составляют 0,1 мг/см2, а также достаточно низкой кристаллизационной способностью, делающей стекло пригодным для промышленного
15 производства. Варка стекла производится в кварцевых тиглях при температурах 750—
850 С с использованием известного производственного оборудования.
Сочетание указанных свойств позволяет вы20 тягивать стекловолокно, состоящее из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла сердцевины, которое после дальнейшего спекания, перетяжки н выщелачивания сердцевины водою может быть получено
25 в виде микроканальных пластин с диаметрами каналов до 20 мкм при малых отклонениях диаметров отдельных капилляров между собой и по толщине пластины, что позволяет повысить разрешающую способность микрока30 нальной пластины.
552311
Таблица 1
Удельное электрическое сопротивление при
20 С
Состав, вес. 0, Номер п/п окисел из группы
ВаО, GeO,, В,О„Т а20.1/205
ЫЬ,.О
ТеО, СнО
SrO
СеО, 5,5 ТааО;
3,1
9,7
3,4 GeO
2,8 ВаО
1,9 GeO, 1,9 В,Оз
Таблица 2
Значения температур, С, прн логарифмах вязкости
Коэффициент термического расширения, град
Стекло
8 7
11 10
13
167 10
374 388
378 393
336 348
361
309 322
405
424
Полупроводниковое
334 349
364
160 10
421
449
305 319
Растворимое
СиО
СеОз
Nb2O5 О3
SrO и один окисел из группы:
Та20з — 1 — 6.
3 — 11
6 — 8
3 — 7
6 — 10
4 — 1
В а О, GeO, ВзОз, Формула изобретения
Стекло, включающее ТеОз, Ъ 20з, СиО, СеОз, КЬзОз, WO3, отличающееся тем, что, с целью повышения вязкости и снижения коэффициента термическото расширения, оно дополнительно содержит SrO и один окисел из группы: ВаО, Ge02, ВзО„ТазОз, при следующем соотношении компонентов, вес. %.
Те02 48 — 58
V2Оа 17 — 28
Источники информации, мание.при экспертизе:
1. Авт. св. Мя 456509, кл. принятые во вниС ОЗС 3/12, 1973.
Составитель Л. Петрова
Корректор Н. Аук
Техред A. Овчинникова
Редактор И. Астафьева
Заказ 768/13 Изд. 1 ч" 342 Тираж 689 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, 5К-З5, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
2
4
5 б
8
56,6
54,3
54,3
54,8
48,1
54,0
51,4
54,1
58,0
17,8
19,2
21,0
19,4
27,1
18,7
17,0
19,1
20,5
9,7
3,6
10,2
4,6
4,6
4,7
З,б
3,6
7,4
7,2
6,9
7,6
7,0
7,0
7,1
6,9
6,9
7,4
3,3
3,2
3,5
3,2
3,2
3,3
6,4
6,3
3,4
7,0
7,0
7,1
9,7
6,9
1,2
3,0
3,2
3,1
3,1
3,3
5,0 10
5,0 10>
1,2 10
1,4 10
1,9.10а
4,0.10
5,0.108
6,3 10
2,0.10з
Максимальный коэффициент вто. ричной электронной эмиссии
29
3;0
3,0
3,2
3,1
3,4
3,0
3,1
3,2
