Резистивный материал
Союз Советскик
Социаяистическия
Респубиик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.0176(21) 2317434/21 с присоединением заявки №
{23) Приоритет
{43) Опубликовано 05.1077. Бюллетень № 37
{45) Дата опубликования описания 17.11,77 (51) М. Кл.
Н 01 С 7/00
ГВВ74ороть|яяы1 ыонтот
Оовота Мяяяотроо ВОСР яо 4олаа язобротеяы1
ы отырытый (53) УДК
621. 396.69 (088,8) (72) Авторы изобретения
В.Н. Черняев, В.Ф. Корэа и И.К. Епанешникова
Московский авиационный технологический институт им. К.Э. Циолковского (71) Заявитель (5 4 ) РЕЗИСТИВНЬИ МАТЕ РИЛЛ
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры, в частности к технике создаиия резистив на-емкостных, реэистивных, совмещенных интегральных и тонкопленочных микросхем, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре и вычислительной технике, и может быть использована при изготовлении резисторов.
Известен реэистивный материал, со- 10 держащий медь и диэлектрик в виде окислов меди и алюминия.
Однако у известного материала диапазон значений удельного сопротивления недостаточно широк, а температурный коэффициент сопротивления (ТКС} высок, Цель изобретения — расширение диапазона значений удельного сопротивления и снижение ТКС. 20
Это достигается тем, что предлагаемый резистивный материал содержит исходные компоненты в следующих количествах, вес.о:
Медь 15-58 . 25
Окись меди l2-35
Окись алюминия Остальное.
Такой материал обладает удельным сопротивлением от 5 10 до 5 10 Ом см и ТКС от + 1 10 до — 5 10 1/град. 30
Изменяя процентное содержание меди, можно изменять удельное сопротивление материала и его ТКС.
Реэистивный материал получают в виде тонкой пленки толщиной î" 100 да 8000 А при термическом разложении паров металлоорганических соединений, переносимых инертным газом в горячую зону подложки . Источником окиси алюминия является порошок ацетилацетоната алюминия, а источником меди и оки си меди — ацетилацетонат меди. Содержание компонентов в пленке регулируется поддержанием определенных температурных режимов в обоих источниках, скоростью патока инертного газа через источники и температурой в зоне подложки.
Характеристики полученных пленок приведены в таблице.
Как видно из таблицы, величина. удельного сопротивления.этого материала значительно превышает ту же вели. чину у известного материала, а температурный коэффициент на порядок ниже
Использование данного материала для высакоамных резисторов позволит
555853
5 10
7,5 ° 10
5 -107
34
32
16
Формула изобретения
Реэистивный материал, содержаший медь и диэлектрик в виде окислов меди и алюминия, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивле15-58
12-35
Остальное.
Составитель П. Лягин
Техред М, Левицкая КОРРектоР С. Шекмар
Редактор M. Заика
Заказ 4073/43 Тираж 976 Подписное
ЦНИИПИ Государстввниого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г. Уи| >Род, ул. Проектная, 4 создавать надежные микроминиатюрные высок оомные резисторы для интегральных и тонкопленочных микросхем.
Температурный коэффициент таких
Резисторов на порядок ниже, чем у известного материала, что позволит ис,польэоьа ь резисторы в более широком диапазоне рабочих температур.
-з
+ 1 10
-4
2 10
- (у
5 10 ния и снижения температурйого коэффициента сопротивления, он содержит исходные компоненты в следуюших количествах, вес.Ъ:
Медь
Окись меди
Окись алюминия
