Устройство согласования

 

ОП ИСАНИЕ (и) 557488

С

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.02.76 (21) 2323162/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (43) С>публиковано05.05.77.Б1оллетень ¹ 17 (45) Дата опубликования описания05,07.77 (51) М. Кл.

Н 01 4 29/70

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретеанй и огкрытий (53) УДК 62 1. 382 (088.8) (>") Автор:l изобретения

11. A. Аваев и Ю. E. Е!Думэв

В Ц,,Г г.

Московский ордена Ленина авиационный институт Д"gg!13 (71) Заявитель имени С. Орджоникидзе >,." » ", l (з4) УСТРОЙСТВО СОГЛЛСОВАНИЛ 1-3$! >г>-. т" Jli i» э 1 но>си . > к зикр эоле 1 тоэп>1—,1 >зг с :.";1ы уст1?эйсч!>a c..l ласэваtittя для .11и.," . . . >E ., c i p ?! còÐ с. Jil- ж кц:-!энным пи la!JJJ о. .>. Сг. (! ». ; );; !! i т >й >к» llо >упровэд- >> никэвэ:. !!. г;".Н>О, iтэ и Всэ стрэйство, ХО !ÄJ»t;,", (>3Я-3 . I!E I C В1> >>ТТО-,ЕННИ, il!»"ЗЛЯ,ЛИ> а

13В1хэды — с Внэ и>им>п г.ыпэда:,".и устройства, Hе >Остаток — н Возможность регулировки мотцнэсти и б>ыстрэдэиств;lя, 10

Известно так?ке > стрэ! .ств О c31 ласОВания

> содержа цее входной транзистор с инжекционным питанием и Выходной инВертОр. т>едэстатэк — нево?змэ>кность регулировки мощности и быстродействия. 15

Яелг. изобретения — обеспечение регулировки мощности и быстродействия — дэстигается тем, что В устройстве согласования, содер>к . -M Входной транзистор с НН>КВК циэнпым питанием и Выхэ гной инвертэр, вы- Qp ходной и JepTap сэдер>кит р — N -транзистор с инжекционныM питанием, колл ктор которого соединен с эмиттером p + — p-транзистора, первый коллектор входного транзистора соединен с базой р -тт-р-транзисто- 25

pa, a В Орэй — с базой "è,— р-тт-транзистора

Вь хэднэгэ инвертора.

Пд чертеже приведена прииципиал>»ная электрическая схема устройства, Кэ>глектэры Входного двухколлекторного lр-">1эис тОГК3 1 соединены с оазами Выходим тт — р- т и р — т>- р транзисторов 2,3, коллектором р -x-p-транзистора 3 соединен с выоэдом 4 питания, а эмиттер — с коллектором Выхэднэго транзистора 2.

Устройство работает следующим образом.

Если напряжение на входе ? соответстВует низкому логическому уровню(для ключа с инжекционными питанием не превышает 0,1 Б), транзистор 1 закрыт, так как ток 3» эквивалентного генератора тока 6

1 .1 ответвляется в предыдущее устройство, и токи в кэллектэрных цепях транзистора 1 малы. При этом тэк базь. транзистора 3 также мал, и этот транзистор закрыт. Транзистор 2 находится в режиме насыщения, так как ток эквивалентного генератора втекает в его базу, и напряжение на выходе 7 соответствует напряжению "коллектор-эмиттер" транзистора 2, т.е. низкому лэгичес—

557438

Й Ъ, 1 ! (/ / !

Состаьител . Г. путний

/ åïàêToð Б. Федотов Техред Г. Родак Корректор К. К.овалева

Заказ 866, 62 Тираж 976 Подписное

ЦЕИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобрет..ний и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раупска.; наб., д. 4/5

Филиал ППЛ Патент"„г. Ужгород, ул. Проектная, 4 кому уровню. Если на вход 5 подается на— пряжение высокого логическогэ уровня (оно с э От в; Tc >bye T напряжению "база-емиттер транзистора 1 в режиме насьпцения, транзистор 1 открыт, на базе транзистора 3 и:"i ется большой тэк и этОт транзистор TBKже находится в режиме насыщенич Ток 3

2 эквивалентнэгэ генератора 8 /тветвляется в цепь коллектора транзистора 1, и поэтому транзистор 2 выключен. выходное на- 10 ь эя/кение Е- J, „близко к напряжению liHTP=.

// н:, я Е (U — напряжение коллектор-эмит// кан

;Ор чр:: п.зистора 3 в режи: е насыщения). юшнэсть, потребляемая схемой, и ее быстродействие могут изменяться на 15 несколько порядков вели:ины за счет измен/-ния токов 1.. 3,, генераторов 6 и 8, т1 ° 2 которые пропорциональны току инжектора.

Формула изобретения

Устройство с оглас эвания, с одержащее входной т:>ачзис. Ор с инжект:ионным питанием и вы ..-лй .;ыертэр, с т л и ч а ищ е е с я тем, чтэ, с целью обеспечения регулировки мощности и быстродействия, выходной инвеРтОР cogBP7KFIT и -P B-TPG/i3iicтээ с инжекциэнным питанием, кэллэктэр кэторэгэ ..Оединен с =-миттером р-7I- тр:: 3зистора, первый коллектор входного тран-зистора соединен с базой О- и-п-транзист,.ра, а вторэй — с базой -р -О-транзистора выходного инвертoi,à.