Биполярные приборы (H01L29/70)
H01L29/70 Биполярные приборы(23)
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и многослойный балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура согласно изобретению содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода, при этом балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщина верхнего слоя увеличивается в продольном направлении от эмиттерной металлизации.
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем - с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.
Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов первого типа проводимости, формирование области затвора, формирование охранной области, формирование области затвора в уже сформированной охранной области, формирование затворной области диффундированием реагента первого типа проводимости, формирование окон второго типа проводимости, формирование истоковой области, нанесение третьего слоя фоторезиста, формирование омических контактов к истоковой области, особое напыление нескольких слоев металлов на обратную сторону пластины, а также другие операции способа, позволяющие изготовить БСИТ-транзистор с охранными кольцами.
Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ-полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к биполярным мощным генераторным СВЧ-транзисторам. .