Устройство для определения типа проводимости полупроводников

 

ОП И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

561157

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61),Чополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 18.02 76 (21) 2324640/25 с присоединением заявки _#_ (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.06.77. Бюллетень М 21 (45) Дата опубликования описания О4.С9.77. (г)1) М Кл

6 01 R 31/26

Н 01 ) 3/00

//П 01 l 11/00

Госудв рственнь и комитет

Соввтв Министров СССР оо делам иэобретений

II открытий (.;З) УДК 621.382 (088.8 ) (723 Авторы изобретения

И, В, Завалин, A, B. Иващенко, B. К. Максимов и И. B. Потьткевич (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА

ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для измерений параметров полупроводников с низкой концентрацией носителей и малой их подвижностью. 5

Известны устройства, позво;;яюшие определить тип проводимости полупроводниковых материалов, основанные на измерении э.д,с. Холла, термоэдс и т. д.(1 j.

Эти уотройства применимы, в основном, IO для определения типа проводимости низкоомных полупроводников, обладающих высокой подвижностью носителей. Измерение типа проводимости BbIcoKoDMHblx полупроводников и полупроводников с низкой подвиж- 15 ностью носителей (аморфных) этимтт методами практически невозможно.

Известно устройство для определения типа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирую- 20 ший прибор, электроды для подклю-ения исследуемого образца, источник магни1 ного поля 12).

Принцип действия устройства основан на определении э.д.с. Холла. 25

Недостатком известного устройства является необходимость в источнике магнитного поля больптой величиньr. Кроме того, определение типа проводимости высокоомных полупроводников и аморфных полупроводников с концентрацией носителей

10 и ниже затруднено, так как требует применения высокочувствительных устройств индикации.

Цель изобретения — упрощение известного устройства и расширение диапазона измерений.

Это достигается тем, что устройство содержит сегнетоэлектрическую пластинку с двумя нанесенными на ее грани и соединенными с источник м питания электродами поляризации, один из которых соединен с исследуемым образцом непосредственно и через измеритель проводимости.

В результате поляризации пластины из сегнетоэлектрического материала на ее поверхности возникает электрический заряд, который обогащает или убедняет полупроводниковый слой исследуемого образца в зави561157

ПНИИПИ р,в 1567/151 ТиРвл 1101 Поллионов

Фвливл ПГ1п "пвтвнт, г. Уиа оров, ул. Провитнвл, 4 симостл от типа его проводимости и от по лярности напряжения поляризации.

На чертеже изображечо предлагаемое устройство.

Устройство содержит пластину 1 из сегне1оэчектрического материал, иала на противоположные грани которой нанесены

ЭЛЕКт1ЭОдЬт ПОЛярИЗацИИ 2, ПодКЛЮЧЕННЫЕ к источнику питания 3, контакт 4, измертлте1ть проводимости 5, исследуемый полупроводниковый образец 6.

Устройство раоотает следующим образом.

При включении источника питания 3, ВСЛЕДСт1ВИЕ ПОЛЯРИЗапктЛ СЕГНЕтэЭЛЕКтРИческогэ материала п 1, на ее пэв6рхнэсти возникает электрический заряд, эбогашаюший или эбедняюшлй полупроводниковый образец 6, Обогащение или обеднение полупровдника 6 зависит от типа его проводимости и от поляризации напряж ения источника питания 3 (поверхностного поляризацноцнэго заряда). ipn положительнэм поляризацлэнном заряде происходит обогащение носителями пол- проводников р-типа и эбеднентле носителями полупроводников И - типа.

Обогащен::;е или обеднение носителями фиксируется измерительным прибором пэ увеличению или уменьшению тока (проводимости) исследуемогD образца. эффективность устрэлства проявляется при определении типа проводимости высокоомных полупроводников, а также полупроводников с низкой подвижностью носителелв Устройство обладает более прэстэй

5 конструкцией по сравнению с известным, т,е. отпала необходимость в источнике сильногэ магнитного поля.

Ф ормула изобретения

Устройство для определения типа проводимрсти пэлупроводнлков, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подключения исследуемого образца, 15 отличающееся тем,чтэ, с целью расширения диапазона измерений и упрощения устройства, оно содержит сегнетоэлектрическую пластину с двумя нанесен,ными на ее грани и соединенными с источником питания. электродамтл поляризации, 20 один из которых соединен с исследуемым образцом непосредственно и через измеритель пр ов одим ости.

Источники информации,. принятые во внимание при экспертизе:

1. Жилискас П. Ю., Сакалас А. Н. Измерение эффекта Холла в высэкоомных образцах на постоянных полях, "Приборы и техника эксперимента, 1942 г., № 3, зо с- 238 °

2, Авторское свидетельство СССР

¹ 1 90 1 7 61 Н 0 1 l 3/00, 1 962.

Устройство для определения типа проводимости полупроводников Устройство для определения типа проводимости полупроводников 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх