Оптическое устройство
I ! Bcc""., юзная 1
I и
1 и -и т, -,r ill „:,, ОПИСАНИЕ 56В24
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союв Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.01.76 (21) 2313014/10 (51) М Кa G 02В 5/28 с присоединением заявки ¹
Государственный комитет
Совета Министров СССР чо делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 15.06.77. Бюллетень № 22
Дата опубликования описания 20.07.77 (53) УДК 535.345.67 (088.8) (72) Авторы изобретснпя
Л. Б. Кацнельсон, Ш. А. Фурман и Н. М. Слотина
Ф (71) Заявитель (54) ОП1 ИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к оптическому приборостроению, а точнее, к оптическим элементам приборов и может быть использовано в системах, работающих в узких спектральных областях, применяемых в квантовой электронике, спектроскопии, космических исследованиях и т. п.
Известны оптические системы, работающие в относительно узком спектральном интервале, содержащие оптические элементы, например линзы, призмы и т. п., коэффициент отражения наружных поверхностей которых на рабочей длине волны 7,о должен быть близким к нулю. Иными словами, поверхности этих оптических элементов должны быть просветлены для 70.
Обычно поверхности просветляют путем нанесения тонкослойного покрытия, состоящего из пленок диэлектриков. Снижение отражения на границе поверхность подложки (оптической детали) — воздух достигается выбором конструкции покрытия, т. е. выбором числа пленок, их толщин и показателей преломления.
Известные конструкции просветляющих покрытий состоят из пленок, оптические толщины которых кратны четверти длины волны, расположенной в середине спектрального интервала, в пределах которого снижается коэффициент отражения (1, 2).
Указанные тонкослойные покрытия снижают коэффициенты отражения R в заданном интервале длин волн, например, в видимой части спектра до величин 8=0,5 — 1,0 /о. Однако область, где достигаются такие относительно низкие значения Л, не велика. Отногпение длины волны, характеризующей верхнюю границу зоны просветления, к длине волны, характеризующей нижнюю границу, пе
10 превосходит 1,5 — 2,0. Вне такой области величина Я покрытия превосходит иногда очень существенно отрахкенпе от чистой подложки.
Известны оптп веские устройства, содержащие подложку с нанесенным тонкослойным
15 покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с коэффициентом отражения, близким к нулю для рабочей длины волны 7.0. К таким устройствам относятся, в первую очередь, конструкции с двухслойным просветляющим по20 крытием (3) .
Существенный недостаток двухслойных просветляющих покрытий, так хке как и любых других TQHKocлойных конструкций, предназначенных для получения P,(7.о) — «О, заключается
25 в том, что они не позволяют получать малый коэффициент отражения для произвольной заданной длины волны 7, особенно если она отличается от 7.р более чем в 2 раза.
Для получения коэффициента отражения, 30 близкого к нулю для другой заданной длины
561924
Формула изобретения
1-!
Г (I
Составитель В. Ванторин
Техред А. Галахова Корректор A. Степанова
Редактор И. Шейкин
Заказ 1613/3 Изд. 1х"в 551 Тираж 633 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 волны Х, при сохранении оптических параметров при Хо в предлагаемое устройство, содержащее подложку с нанесенным тонкослойным покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с коэффициентом отражения, близким к нулю для рабочей длины волны iso, введена дополнительная интерференционная система, имеющая коэффициент отражения, близкий к нулю на длине волны Хо, а между тонкослойным покрытием и дополнительной интерференционной системой расположен слой диэлектрика, прозрачный при Хо и Х, толщина которого в сумме с разностями хода, вызванными скачками,фаз на его границах, кратна
0,5 Х .
На чертеже показан разрез предлагаемого оптического устройства, состоящего из подложки 1, тонкослойного покрытия 2, слоя диэлектрика 3 и дополнительной интерференционной системы 4.
Устройство представляет собой подложку 1, на которой расположено тонкослойное покрытие 2 из пленок диэлектриков. Показатель преломления и подложки 1 имеет значения цо
JlJI5l JI,JlHHbl BoJIHbl .о II 72 и. Тонкослойнос крытие 2 состоит из чередующихся пленок с
ВЫСОКИМИ n в И n „È НИЗКИМИ n „ II И и ПОКазателями преломления для Хр и Х соответственно. Конструкция покрытия 2 (т. с. количество и толщина входящих в него пленок, а также вещества, их образующие) выбраны таким образом, что его коэффициент отражения R1I(i,ll) =0 для луча, падающего из среды, имеет показатель преломления такой же, как показатель преломления слоя диэлектрика 3.
Оптическое устройство, содержащее подложку с нанесенным тонкослойным покрытием, состоящим из пленок диэлектриков с
10 коэффициентом отражения, близким к нулю для,рабочей длины волны Хl, о тл ич а ю щеес я тем, что, с целью получения коэффициента отражения, близкого к нулю для другой заданной длины волны л, при сохранении опти15 ческих параметров при Хо, введена дополнительная интерференционная система, имеющая коэффициент отражения, близкий к нулю на длине волны Хе, а между тонкостенным покрытием и дополнительной интерференцион20 ной системой расположен слой диэлектрика, прозрачный при Хо и Х, толщина которого в сумме с разностями хода, вызванными скачками фаз на его границах, кратна 0,5i., Источники иноформации, принятыс во вни25 мание при экспертизе:
1. Патент СШЛ № 3176575, кл. 88 — 1, 1965 г.
2. Патент Англии № 932849, кл. С23с, 1958 I.
30» др., «Просветление оптики», М.— Л. Тостехиздат, стр. 71 — 77, 1946 г. (прототип).
