Способ выращивания монокристаллов хлоридов меди цезия
Всесоюэнав
Фате-.:7:ÿ- =.-õ ичесЮЮ " ..-,::::кол
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ . (:) (т (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 09.10.75 (21) 2193956/23
М. Кл.
В 01 У 17/04 с присоединением заявки №вЂ”
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано25.12,77, Бюллетень М (45) Дата опубликования описания 28.12.
УДК 548.55 (088.8) (72) Авторы изобретения
Л, В. Соболева, B. В. Огаджанова и N. Г. Васильева
Ордена Трудового Красного Знамени институт,кристаллогрантн-. им А, В. Шубникова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛПОВ
ХЛОРИДОВ МЕДИ-ЦЕЗИЯ
Изобретение относится к технологии вырашивания монокристаллов, в частности, монокристаллов хлорида меди-цезия, которые могут найти применение в создании низкочаототных резонаторов, а также в оптических и магнитных устройствах.
Известен способ получения кристаллов
Сбси Срз СзясисЕ4и CSЪСЦЫсрт 2Н20 испарениемводныхрастворов.СВСР от СиСР
pi)» ю
Недостатком известного способа являет ся получение несовершенных мелких кристаллов, размером до 10 мм гетерогенного состава
Известен также способ получения кристал- тя лов С (ц С из водного раствора. Рост затих
З кристаллов осушествляют путем испарения раст-.
bopa (2$ .
Зтим способом, однако, не получены крис"таллы размером более 10 мм, 20
С целью увеличения размеров монокристаллов процесс вырашивания кристалловСВСОСР
С-б.хCU СР4 иСЗ Си СР "2Н О ведут на затравку методом йонижения температуры от
47 до 18,5 С из водных растворов хлорида 25 цезия в хлориде меди в весовых соотношени-= яхCSCP Си СР2! 1,29 5 13 3 4 (соотв т ственно) со скростью снижения температуры
0,05-0,12 град/сутки.
Оптимальные весовые соотношении CSC Р *СИС для приготовления кристаллизационных растворов и, максимальные температуры начала кристаллизаций были найдены:при изучении тройной системы CSCP-CUCP "Н О 18,25,50 С о и составляют для C9 CU СИЗ 1:2; 47 С;
CB СиСР 5:1, 43,5 С @CD CU СР 2H О 3:4, 2595 С, Разработанный способ является эффективным, так как позволяет вырашивать крупные кристаллы CgCtgCf тСЯ.,!,-СР СЬ Сьт СР 2Н О высокого качеств;;.
Пример 2. Раствор 240гС,АССР(50 С) постепенно при непрерывном перемешивании приливают к раствору 485гОлСР - 2 И О (70- С). Полученный раствор двух компонентов (800 мл) быстро фильтруют и заливают в кристаллизационный с акан, Последний помешают в термсстатированный кристаллизатор при 47 С.
566424
Составитель Л, Соболева
Редактор й, Пинчук ТехредН. Андрейчук Корректор B- Сердюк акаэ 5019/30 Тираж 947 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР яо делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Затравку кристалла хорошо ограненную, размером бмм, предварительно выращенную в растворе укаэанного состава, укрепленную на нити (либо с различной ориентацией на тефлоновой платформе) помещают в кристаллизационный стакан, раствор которого предварительно перегрет на 4 С выше начальной
O температуры роста кристалла. После "оформления затравки начинают снижение темпера туры. 1О
При скорости снижения температуры по
0,05 град/сутки вырастает кристалл размером 25х10х10мм в течение 90 суток. Ивет кристалла черный в тонких пластинках грана-. тов красного цвета. .,15
Процесс: выращивания кристаллов CsCuCg 8 Cu CO/ < 2НхО ведут на затравку методом понйжения температуры от 47 до
18,5 С из водных растворов хлорида цезия в хлориде меди в весовых соотношениях
CSCP- Оптимальные весовые соотношения С СP ., : С Ц С Я < . для приготовления кристаллиза- >5 ционных растворов и максимальные температуры начала кристаллизаций были найдены при изучении тройной системы С СР-CuCP H2О 18,25,50 Спсаствппюотппп СвСвС :2; 47 С ЙйСнй1,5:1,43,5 Си Са Cv Cty 2Í 3:4, 25,5 С. Разработанный способ является эффективным так как позволяет. выращивать крупные кристаллы CSCOGP GS CMCF Cc CU СР 5 2Н О высокого качества. Пример 2. Технологические приемы по приготовлению затравки и росту кристалла Св Cu CP. аналогичны С Cu CP в .. Для приготовления раствора взято 700 rC5CP 120 ГСОСР2 2Н20 и 720 Н20 ° Рост кристалла проводят от 43,5 до 27,8 С. При снижении температуры по 0,12 град/сутки в течение 125 суток вырастает прозрачный кристалл желто-оранжевого цвета размером 40х20х1 3ММ, P H M e p 3. Для приготовления раст вора взято 125 г CgGp и 130г СМСР 2 Н 2 О, 300 мл Н я О L Рост кристалла проводят от 25,5 до 18,5 С. Снижение температуры до 0,08 град/сутки. В течение 84 суток вырастает прозрачный кристалл корич невого цвета, размером 28х25х18мм. Формула изобретения Способ выращивания монокристаллов хлоридов меди-цезия из водного раствора Cs CÐ иСИСР 2НО, отличающийся ;тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, процесс ведут на затравке пу,тем понижения температуры в интервале 47 ОО Ф 18,5 С со скоростью 0,05-0,12 град/сутки. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.ЪСуЬМE С ой И. М 4, 346, ,1970. 2.Acta C1.AS%.. В; 27, 1528, 1971.
