Состав для защитного покрытия полупроводниковых приборов
СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид бора - 13 - 16 Оксид цинка - 4 - 5 Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20 Оксид свинца - Остальное
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых приборов, в частности к защитным теплостойким покрытиям и может быть использовано в полупроводниковых термопечатающих приборах. Известен состав для защитного покрытия, содержащий компаунды на основе кремний-органических смол. Недостатком известных составов является то, что они не сохраняют своих механических свойств при длительной эксплуатации при температурах выше 350оС. Известен состав для защитного покрытия на основе легкоплавких стекол. Недостатком легкоплавких стекол является низкий коэффициент теплопpоводности и более высокий коэффициент термического расширения, по сравнению с полупроводниковыми материалами, что приводит к растрескиванию оплавленного слоя стекла, а, следовательно, к ухудшению механических и теплофизических свойств полупроводникового прибора. Наиболее близким техническим решением к изобретению является состав для защитного покрытия полупроводниковых приборов. Состав содержит, мас. Оксид свинца 80 Оксид бора 16 Оксид цинка 4 Недостатком известного состава является низкий коэффициент теплопроводности и более высокий коэффициент термического расширения в сравнении с коэффициентом полупроводникового материала, что приводит к растрескиванию покрытия и ухудшению механических и теплофизических характеристик полупроводниковых приборов. Цель изобретения улучшение механических и теплофизических характеристик покрытия. Это достигается тем, что состав дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас. Оксид бора 13-16 Оксид цинка 4-5 Мелкодисперсный синтетический алмаз 15-20 Оксид свинца Остальное П р и м е р. Для получения защитного покрытия подготавливают 5 композиций, содержащих мас. оксид бора 14, оксид цинка 4, 5 и отличающихся друг от друга содержанием мелкодисперсного синтетического алмаза, равным, в каждой композиции последовательно, мас. 12, 15, 18, 20, 23, а также содержанием оксида свинца, составляющей дополнительную до 100% часть в каждой композиции. Порошок легкоплавкого стекла просеивают через мелкую сетку для удаления крупных частиц и смешивают с мелкодисперсным синтетическим алмазом. Затем готовят водную суспензию сметанообразной консистенции. Оплавление проводят при 440оС в течение 0,5 1 мин. Оптимальное содержание наполнителя мелкодисперсного синтетического алмаза находится в пределах 15-20 мас. Если содержание наполнителя ниже 15 мас. в оплавленном слое появляются трещины, при содержании наполнителя более 20 мас. защитное покрытие становится рыхлым и непрочным. Введение в известную легкоплавкую смолу мелкодисперсного синтетического алмаза сближает теплофизические свойства защитного покрытия и материала полупроводникового прибора, позволяет исключить явление растрескивания покрытия и обеспечивает повышение механических и физических характеристик полупроводниковых приборов.
Формула изобретения
СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид бора - 13 - 16 Оксид цинка - 4 - 5Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20
Оксид свинца - Остальное
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000
Извещение опубликовано: 27.12.2000
