Способ введения в газоразрядную лампу галогенидов металлов

 

ОП И САН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ti!! 57662l

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13.04.76 (21) 2347782/25 (51) М. Кл.з Н 011 9/38 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.10.77. Ьюллстсш. № 38

Дата опубликования описания 10.10.77 (53) 1 ДК 621 327 534+

+ 621. 327. 539 (088.8) (72) Авторы изобретения

3. Н. Кобина, А. Г.,Крохина, T В. Маслова, В. М. Пчелин, А. П. Тарнопольская и Г. Н. Рохлин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВВЕДЕНИЯ В ГАЗОРАЗРЯДНУЮ ЛАМПУ

ГАЛОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ

Изобретение относится к области электротехники и может быть применено при производстве газоразрядных ламп высокого давления с добавками галоидных соединений металлов.

Известны способы дозирования галоидных соединений металлов или их смесей, предварительно взвешенных или отмеренных порций, таблеток или отрезков кварцевых или пластмассовых трубок, заполненных дозой галогенидов (1, 2, 3).

Известен также способ введения в газоразрядную лампу галогенидов металлов путем приготовления и вакуумной обработки дозы галогенидов с последующим помещением ее в колбу лампы (4).

В соответствии с этим способом, галоидные соли, в виде таблеток, и ртуть вводят в отросток (второй штенгель) лампы. Затем производят тепловую обработку лампы под откачкой, лампу охлаждают и перегоняют галоиды и ртуть с помощью нагрева из отростка в лампу.

Указанный способ имеет следующие недостатки:

1. Очистка галоидных солей, производимая только путем откачки отростка, имеющего камчатную температуру, не обеспечивает удаления из всего объема таблетки воды и других примесей, ухудшающих параметры ламп.

2. Приготовление порции, загрузка в отросток и перегонка из него в лампу очень малых (приблизительно 1 мг) доз галоидных солей черезвычайно затруднено. В связи с этим

5 невозможно обеспечить хорошую воспроизводимость световых и цветовых параметров металлогалогенных ламп, содержащих столь малые количества галоидных солей.

3. Откачка некоторых галоидных солей (на10 пример, иодида лития), образующих во влажном воздухе кристаллогидраты, не приводит к удалению из галогенида кристаллизационной воды даже при нагревании.

С целью повышения срока службы лампы

15 и упрощения технологии изготовления, по предлагаемому способу галогениды смешивают с веществом-дегидрантом, превышающим вес галогенидов не менее чем в 2 раза, помещают в лампу и под откачкой нагревают до

20 температуры отщепления воды дегидратантом, а затем до удаления газообразных продуктов реакции. В качестве дегидратанта может быть использован иодид аммония — NH41.

Например, при изготовлении шаровых ме25 таллогалоидных ламп со спектром излучения близким к солнечному, необходимо вводить в колбу лампы малые количества смеси безводных иодидов редкоземельных элементов-диспрозия, гольмия и туллия. Указанные иодиды

30 весьма гигроскопичны и при соприкосновении

576621

Формула изобретения

Составитель Т. Лакомкнна

Корректор И. Позняковская

Редактор Л. Баглай

Техред И. Карандашова

Заказ 2280/13 Изд. № 813 Тираж 995

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 с воздухом образуют крпсталлогидраты, lloпадая вместе с иодидамп внутрь лампы, указанные примеси вызывают нежелательные реакции как с кварцевым стеклом оболочки, так и с материалом электрода, приводя к преждевременному выходу ламп из строя.

Перед приготовлением нужной дозы иодидов редкоземельных элементов, смесь этих подидов в определенной порции, содержащую в результате даже короткого пребывания на воздухе влагу, смешивают с иодистым аммонием в количестве в 5 — 10 раз превышающем количество необходимой для введения в лампу смеси иодидов, тщательно перемешивают компоненты смеси в любом смесительном устройстве, например в шаровой мельнице. 3атем любым из известных способов приготовляют заданную дозу, содержащую требуемое количество смеси иодидов, например, прессуют ее в виде таблетки весом в 5 мг и более, и вводят таблетку в лампу непосредственно, либо через дозировальное устройство.

Лампу подвергают вакуумной и тепловой обработке, а затем производят очистку таблетки от ненужных примесей, прогревая ее под непрерывной откачкой, либо непосредственно в лампе, либо в отростке штенгеля. Режим прогрева для таблетки, содержащей смесь иодидов редкоземельных металлов и иодистого аммония в пропорции 1:5 общим весом 6 мг следующий: в течение 10 — 15 мин таблетку прогревают при температуре 80 — 100 С для удаления поглощенной влаги, затем в течение 30 мин выдерживают температуру, равную +150 — 170 С для удаления кристаллизацио нной воды с помощью реакции DyI3 пН20+ЖН41-+.Эу13+

+пН О+ХНз+Н1, а затем повышают температуру до +500 — 550 С и выдерживают ее в течение 10 — 15 мин. для полной возгонки непрореагировавшего иодида аммония. Таким образом, в лампе остается требуемая порция смеси иодидов редкоземельных элементов, очищенная от вредных примесей, главным образом воды.

5 Лампы, изготовленные по предлагаемому способу введения иодидов, имеют хорошо воспроизводимые цветовые и световые параметры, (что объясняется достаточной точностью дозировки иодидов), а также имеют понижен10 ное напряжение зажигания и перезажигания, что связано с отсутствием вредных примесей.

15 1. Способ введения в газоразрядную лампу галогенидов металлов, включающий приготовление и вакуумную обработку дозы галогенидов с последующим помещением дозы в колбу лампы, отличающийся тем, что, с целью

20 повышения срока службы и упрощения технологии, галогениды смешивают с веществом— дегидратантом, превышающим вес галогенидов не менее, чем в 2 раза, помещают в лампу и под откачкой нагревают до температуры от25 щепления воды дегидратантом, а затем до удаления газообразных продуктов реакции.

2. Способ по п, 1, отл ич а ющий ся тем, что в качестве дегидратанта может быть использован иодид аммония.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 343318, кл. Н 01J 9/38, 1970.

35 2. Патент США № 3689799, кл. 313-4, опублик. 1970.

3. Патент США № 3676534, zJI. 264-9, опублик. 1969.

4. Патент Японии № 17785, кл. 93D221, 40 опублик. 1965.