Планарный тензорезистор

 

О П И С А Н И Е (о 577394

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-sy(22) Заявлено 08.07.7 6 (21) 237 9825/25-28 (Я) М. Кл.

Ст 01 В 7/16 с присоединением заявки №(23) Приоритет (43) Опубликовано25.10.77. Бюллетень № 39 (45) Дата опубликования описания 01.11.77

Гасудврстевннвй кюиктвт

Ювввтв Мкнквтров СССР кв дейм нзобрвтвннй н еткрмтуй (53) УДК 531.781 (088.8) (Ó2) Авторы изобретения

Л. В. Беликов, В. И. Жуков и С. Г. Радковский .

Московский институт электронного машиностроения (71) Заявитель (54) ИЛА НАРНЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым тенэорезисторам.

Известен полупроводниковый тензореэиотор, содержащий полупроводниковую подложку в форме .прямоугольника и две пары кон тактов, каждый иэ которых расположен на середине одной иэ сторон прямоугольника.

Недостатком этого тензореэистора являетс

cs то, что он измеряет деформации лишь в одном направлении, совпадающим с направ лением длинной стороны прямоугольника 1.1).

Известен также полупроводниковый тензорезистор, являющийся наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффек-15 ту к предложенному тензореэистору, содержащий ориентироварную по кристаллографической плоскости ."(100 полупроводниковую подложку одного типа проводимости, нанесенный на подложку проводящий слой в фор» в ме, квадрата из того же полупроводникового материала с проводимостью противоположного типа, ориентированный так, что одна иэ сторон квадрата параллельна кристаллографичеокому направлению 4 100),и две пары металлических невыпрямшаощих контактов, каждый из которых расположен на середине одной из сторон квадрата (2 .

Недостатками этого тензорезистора я лиотся большие габариты преобразователя и нетехнологичность конструкции. ,Йля уменьшения габаритов и повышения технологичности конструкции тенэореэистора, проводящий слой выполнен за одно целое с подложкой и ориентирован так, что сторо» на квадрата и кристаллографическое направление С1007 образуют угол.от 20 до 25

На чертеже показана конструкция тензорезистора.

Планарный тензорезистор содержит ориев тированную по кристаллографической плоскости 100 полупроводниковую подложку

1 одного типа проводимости, изготовленный на нем, например, диффузионным способом проводящий слой 2 в форме квадрата с проводимостью противоположного типа, мета в. лические невыпрямляющие контакты 3 и 4, каждый из которых закреплен на защитном покрытии S на середине ттротивоположных сторон квадрата, 577394

Составитель A. Бутко

Редактор Т. Щагова . Техред Н, Анщэейчук Корректор С. Ямапова

Заказ 3673/30 Тираж 907 Подписное

ЫНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент,.r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Проводяший слой 2 ориентирован так, что сторона квадрата:и кристаллографическое направление (100) образуют угол от

20 до 25.

Планарный тензорезистор работает следующим образом.

Между контактами 4 пропускают ток

:1„, измеряют падение напряжении на них и ойределяют величину относительного изменения сопротивления Т тензорезистора. 10 ха

Между контактами 3 иропускают ток, измеряют падение напряжения на них и определяют величину относительно изменения сопротивления С тензорезистора. уу

Затем между контактами 4 пропускают и ток J, измеряют падение напряжения на контактах 3 и определяют величину относи тельно изменения сопротивления ь у,у тензорезистора.

По известнылФ g„„, g 4 „определяют "0 напряжение растуяжейня сжатия д

Х. и касательное напряжение Ф

Применение изобретения позволяет умен шить объем тензорезистора сушественно упростить технологию изготовления.

Формула изобретения

Планарный; тензорезистср, содержаший ориентированную по кристаллографической ппоокооти (100) полупроводниковую подпоокку одного типа проводимости, нанесенный на подложку проводяший слой в форме квадрата из того же полупроводникового материала с проводимостью противоположного типа и две пары металлических певыпрям ляоших контактов, каждый из которых рао положен на середине одной из сторон квадрата, о т л и ч а ю ш и и с я тем что, с целью повышения технологичности и уменьшения габаритов, проводящий слой выполнен за одно целое с подложкой и ориентирован так, что сторона квадрата и кристаллографическое направление (100) образуют угол от 20 до 25.

Источники информапии, принятые во внимание при акспертизе.

1. Авторское свидетельство СССР

М 439690, кл. Ц 01 В 7/16, 1972.

2. Патент США Nп 3858143, кл. 338 4, 1961.