Способ получения голограмм на полупроводниковом материале
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
«i>578784
>Й I (61) Дополнительное к авт. саид-ву Р 490368 (22) Заявлено 1006.76 (21) 2370522/18-25 с присоединением заявки М— (23) Приоритет
Опубликовано 25.1279. Бюллетень Hо 47
Дата опубликования описания 28.1 279 (51)М. Кл.
G 03 Н 1/18
Госурарствениый коиитет
СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК772.99 (088.8) (72) Авторы изобретения
Е.И, Штырков, M.M. Зарипов, И.Б. Хайбуллин, М.Ф,Галяутдинов и Г.Г. Закиров (71) Заявитель казанский физико-технический институт казанского филиала АН СССР (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАММ HA ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ
МАТЕРИАЛЕ
Изобретение относится к голографи ческой записи и восстановлению волновых фронтов света и может быть применено для записи и хранения информации на монокристаллах германия, особенно при необходимости восстановления волновых фронтов света в видимой и ближней инфракрасной области спектPB °
По основному авт. св. Р 490368 известен способ получения голограмм на полупроводниковом материале, по которому запись производится путсм освещения объекта излучением записи интерференционной картины от объектного и опорного пучков излучения на полированной пов ерхности герма ниев ого монокристалла после того, как эту поверхность бомбардируют быстрыми ионами элек троак тив ной примеси.
При произвольном выборе режима бомбардировки (т.е. дозы облучения и энергии внедряемых ионов ) этот способ эффективен лишь в длинноволновой области спектра за частотой игр плазменного резонанса и не позволяет получить достаточно хорошую дифракционную эффектив ность при восстановлении в видимой области спек тра и прилегающей к ней области ближнего ИК-диапазона, т.е. области спектра, расположенной между краем собственного (фундаме н таль ного) поглощения исходного полупроводника и частотой плазменного резонанса °
Кроме того, при этом способе для бомбардировки могут быть использованы только электроактивные ионы, что значительно сужает возможности спо10 соба.
Цель изобретения — увеличение дифракционной эффективности голограмм, записанных на германиевых монокрис15 таллах и расширение класса частиц, используемых для их облучения.
Это достигается тем, что по предлагаемому способу облучение проводят ионами с массой М >75 и дозой
20 D > 6 ° 10 ион/см, На фиг. 1 показана дозовая зависимость коэффициента отражения моно» кристалла германия, облученного ионами Ог с знернией 80 кэВ в видимом и и ближнем ИК-диапазоне; на фиг. 2 зависимость коэффициента отражения монокристалла германия, облученного ионами после экспонирования светом (кривая а),и до экспонирования (кри30 вая б) .
578784 дфюф) ЦНИИПИ Заказ 8098/4
Тираж 548
Подписное
Филиал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектная,4
В соответствии с обнаруженной для германия аномальной зависимостью коэффициента отражения R „от дозы внедряемого иона в видимой и ближней
ИК-области спектра, величина R может быть уменьшена практически до нуля (см. фиг. 1) . В процессе записи голограммы коэффициент отражения экспонированного участка резко возрастает (см. фиг ° 2) до значений, характерных для монокристаллического гер-, мания (> 36%) .
Такое соотношение между коэффициентами отражения экспонированного и неэкспонированного участков обеспечйвает повышение дифракционной эффективности голограмм в рассматриваемом диапазоне спектра по сравнению с известныч способом по крайней мере в 3«4 раза.
Предлагаемый способ позволяет значительно увеличить дифракционную эффективность голограмм, записанных на германии, в видимом и ближнем ИК-диапазоне, а также значнтельно расширить
5 класс ионов эа счет использования не только электреактивных, Но и электронейтральных атомов, что упрощает технологию изготовления голограмм.
" Формула изобретения
Способ получения голограмм на полупроводниковом материале по авт ° св. 9 490368, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения. дифракционной эффективности голограмм, записанных на монокристаллах 5 германия, и расширения класса частиц для облучения, облучение производят ионами с массой М >75 и дозой D > 6 10" ион/см .
