Стекло

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22} ЗаявленО 180676 (21) 2373402/29-33 с присоединением заявки Ph (23) Приоритет— (43) Опубликоваио05о2 8. Бтоллетень М 5

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 59 14 19 (53) N. Кл.

С 03 С 3/10

Гаат аратааааый ааватат

Вааата Маааатраа COOP аа дааев ааабратаааб а атарытаб (53) УДК ббб. 112.4 (088. 8) (45} Дата опубликования описаний 2301.78 (72) Автори

В. В. Тарасов, Э. Н. Каплина, Г. И. АРтамонова и К. Я. Виневич

Государственный научно-исследовательский институт стекла

Pl) Заявитель (54) СТЕКЛО

Изобретение. относится к составам легкоплавких стекол, которые могут быть использованы, греимущественио, в виде диэлектрических покрытий при создании дискретных элементов. 5

Известно стекло, применяемое в качестве изолирующих покрытий в полупроводниковой и радиоэлектронной промышпенностн, следующего состава sec.II 10

РВО 60-70

В Оа 20-26 аЛ

2- 7 по крайней мере, один окисел из группы КЗ0 NaOl, Ссй CuO 0,1 — 1 ь1), 1C

Адгеэия стекла укаэанного состава составляет 150 кг/см, б, 15-16, KTP (20-300 С) 90-95 1/ С. Наиболее близким к изобретению является состав стек-20 ла, применяемого в радиоэлектронной промышленности, содержащий следующие компоненты, вес.Ф:

Ps 0 45-85

В 0 2-19 25

За Оф а а

7-40

Ae,О, 0- 3

2йО

0-10 атогО О- 5

R0 О-1О 12 .

Стекло данного состава имеет температуру плавления 540-560 С. Кроме того, стекла имеют плохую адгезию к токопроводящим пленкам, например, 6 о zn og

Цель" изобретения является понижение температуры плавления и улучшение адгезни к токопроводящим пленкам.

Эта цель достигается тем, что предложенное„стекло, включающее РвО, Вг Оа, 5(0а . Ыга, дополнительно содержит один компонент из группы Си0, К О, CdO, Ив За при следующем соотношения указанных компонентов, вес.а:

РвО 65"79

- Вга, 4- 9

SIO 1 3-20 ма 3, 5-5,6 и покрайней мере, один окисел из группы

Х О, Сиа, Сда, Мп Îl 0,1 1.

Введение окислов Ьта и Мг 0 при соотношении 3:1 — 4:1 обеспечйвает ограничение температуры плавления с верхним пределом до 500 С. Введение одного окисла из группыСиО,СдО,Мп О,И 0 снижает способность свинца к восстановлению что улучшает адгезию стекла.

Стекло укаэанного состава обеспечивает диэлектрическое покрытие толщиной 5-50 ф при общем светопропуска59 14 1.9 нчн 40-80%. Диэлектрическое покрытие обеспечивает получение дискретных элементов заданной формы и. глубины.

В качестве сырьевых материалов для варки стекла используют окись свинца, борную кислоту, фтористый алюминий, кремниевую кислоту, окись меди, окись кадмия,перманганат калия, Сырьевые материалы должны быть марки ч и хч .

Изобретение поясняется на конкретных,. 0 примерах.

РвО

74 66

6 9

14,5 19,5

5 5,5

0 5

78,2

67

74,0

В) О, 7,5

81О, 13,5

14,5

19,3

И О) 3,5

5,0

5,3

5 5

Css0

Ccf0

0,8

0i3

Мп 0

0,2

0,2

0,2 аа0 13-20

Ql ле,о) 3,5-5,6 по крайней мерв, один окисел нз руппы Esse С40 kin)0 К 0

ЦНИИПИ Эаказ 522/18 Тираж 596 Подпи снов

Филиал ППП Патент . r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Пленку из разработанного стекла получают при следующем режиме:„

- подъем температуры до 480 С (5б град/мин)у

- выдержка при температуре 480 С в течение 30 мин.

Физико-химические свойства стекол следующие:

Температура плавления, с 470-500

Краевой угол смачивания 9-11

Формула изобретения

Стекло, включахицее РвО, В О),610

А6 О, о т л .и ч а ю щ е в с я тем, что, с целью понижения температуры плавления и улучшения адгвзии к токопроводящим пленкам, оно дополнительно содержит, по крайней мере один окисел из группы СвО, Х О, О, Мп О при следующем соотношении укаэанных ингредиентов, ввс.as

РвО 65-70

a4O) 4- 9

Температура варки, С 900-1000

КТР (20-300 С), 1/град 91-95

Общее светопропускание, В 40-80

Химстойкость: к воде, мг/дм 0,5

Диэлектрическая. постоянная 11-13,5

При толщине диэлектрического покрытия иэ стеклопорошка 40 мк на электровакуумном стекле с токопроводящей пленкой из окиси олова или окиси индия адгеэия диэлектрического покрытия 150 кг/см при толщине диэлектрического покрытия из стекла в

20 мк на электровакуумном стекле с токопроводящей пленкой из окиси олова или окиси индия, адгезия диэлектрического покрытия 190 кг/см.

Предлагаемое стекло относится к типу диэлектриков. Оно может широко применяться в радио- .и электронной промьпапенностн.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СС Р

S 544624, кл. С 03 С 3/10, 1976.,2. Патент Англии 9 1088889 кл. С 1 М, 1967.