Шихта

 

Союз Советскин

Социалистическин

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Nfl

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 06.08.74 (21)2049404/29-33 с,присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.02,78,Бюллетень № 7 (11 594 080

2 (51) М. Кл, С 04 В 35/16

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам иеооретений и открытий (53) УДК 666.97 (088.8) (45) Д,ата опубликования описания 03.02.78

Г. А. Выдрик,. Г. Н. Масленникова, Г. А, Найденова и Ф. Я. Харитонова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ШИХТА

O

Изобретение относится к шихтам для изготовления цельзиановой керамики, которая может быть использована в электронной, радиотехнической, электротехнической и других отраслях пром ышленности. 5

Известен материал на основе синтезированного цельэиана. $1). Недостатком его является узкий интервал спекшегося состоо яния 10-20 С.

Цель изобретения - расширение интервала спекания.

Это достигается тем, что в шихту, содержащую спек MoHoIGlHHHoFo > цельзиана вводится добавка опека системы ВаО-Af>O>-}5

Ьi О эвтектического состава при следующем соотношении компонентов, вес,%: .

Спек моноклинного цельэиана 95-97

Спек системы 20

Вао-л,оз ат О эвтектического состава 3-5

Предлагаемый цельзиановый материал готовят по методу горячего литья под давлением.Сначала осуществляют синтез цельзиана при

1400 С. Г1олученный спек, состоящий из цельзиана моноклинной модификации, подвергают измельчению до размера зерна не более 10 мкм и смешивают с % предварительно тонконэмельченного спека добавки; отвечающей по составу эвтектике, вес.%:

ВаО 32,0; АМ 0,11,0; 61 Og 57,0, обожженной прй 1100 С.

Для оформления образцов готовят литейный шликер. В качестве технологической связки применяют смесь парафина воска и олеиновой кислоты. Шликер перемешивают о в разогретом состоянии при 70-80 С в течение 2-3 ч. при разряжении 740-760 мм рт.ст. Литье иэделий производят в металлические формы при давлении 2-3 атм. Для удаления органической связки и придания полуфабрикату достаточной прочности отлитые образцы подвергают утфельному обжи» о гу при 1000-1100 С в адсорбционной зась1пке глинозема. Окончательный обжиг о материала проводят при 1 320-1 450 С в зависимости от колттчества вводимой добавки. Интервал спекания 80-100оС.

594080

15

1300 кгс/см

2,17 ° 10

2.10

2,60 10

25

3,5 10 ом см.

4 10

6,0 .1

2 ° 10 ом.см, 96 материал обладает

Полностью спеченный следуюшими свойствами;

Объемная масса

Предел прочности нри статическом изгибе

Коэффициент термического линейного

2,86 г/см 40

1420 кгс/см

95-97 расширения в интервале температур

20-1 00 С

Тангенс угла диэлектрических потерь при $. 1 мгц, Диэлектрическая проницаемость

2,40 10

3 10

6,2

Ш4ИИПИ Заказ 759/25 Тираж 750 Подписное

Филяал ППП Патент«, г; Ужгород, ул. Проектная, 4

ll р я м е р . Масса содержит, вес.Ъ:

Спек моноклинного цельзиана 97

Спек системы

ВаО A 21Î - Ы О эвтектического состава 3

Температура обжига материала 1450 С. о

Интервал спекания 100 С. о

Полностью спеченный материал обладает следующими свойствами:

Объемная масса .4

2,90 г/см

Предел прочности при статическом изгибе 1500 кгс/см

Коэффициент термического линейного расширения в интервале температур

20-100 С

Тангенс угла диэлектрическях потерь при х 1 мгд

Диэлектрическая прснницаемость

Удельное объемное электросопротивление о при 100 С

Пример 2. Масса содержят, вес.%:

Спек моиоклинного цельзиана

Спек системы

ВаО-А O>-,Ь! О эвтектич ес ког о состава 4, о

Температура обжига материала 1380 С.З5 о

Интервал спекания 90 С.

Удельное объемное электросопротивление о И при 100 С g,7 10 ом.см.

Пример 3. Масса содержит, вес.%:

Спек моиоклипного цельзиана 95

Спек систему

ВаО-АЯ О - 51 О эвтектического состава S о

Температура обжига материала 1320 С, Интервал спекания 80 С о

Полностью спеченный материал обладает следующими свойствами:

Объемная массв 2,80 г/см

Предел прочности при статическом изгибе

Коэффициент терми ческого линейного расширения в интервале температур

20-100 С

Тангенс угла диэлектрических потерь при =1 мгц

Диэлектрическая проницаемость

Удельное объемное электросопротивление при 100 C Формула изобретений

Шихта для изготовления цельзиановой керамики, включающая спек моноклинного цельзиана, от лича ющая ся тем, что, с целью расширения интервала спекания, она дополнительно содержит спек системы ВаО-A I- Bi O эвтектич еского состава при следующем соотношении компонентов, вес. 7 :

Спек моноклинного цельзиана, Спек системы ..

ВаО-АХ О - &|О эвтектического состава 3-5.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Богородицкий Н. П. и др, «Керамика на основе цельзиана", "Вопросы радиоэлектроники", 1961, сер. 11, вып, 71, с. 14-25,