Фотоэлектронное устройство

 

н11 595809

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со1оз Советских

Социалистических

Республик

1..

k (б1) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 01.08.76 (21) 23900951 18-25 (51) 11. Кл. - Н 01J 43j00 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 28.02.78. Б1оллетснь Vo 8 (45) Дата опубликования описания 30.03.78 (53) УДК 621.383.292 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Автор изобретения

Л. Н. Федоров (71) Заявитель (54) ФОТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области электроники, в частности к фотоэлектрическим устройствам с фотоэлектронными умножителями (ФЭУ) .

Известно устройство, содержащее ФЭУ, делитель напряжения которого подключен к транзисторам регулируемого делителя (1).

Известно фотоэлектронное устройство, содержащее фотоэлектронный умножнтель с делителем напряжения, регулируемый делитель, усилитель и источник смещения, к которому через диодно-резисторные цепочки подключены базы транзисторов регулируемого делителя (2).

К недостаткам известного решения можно отнести необходимость работы с заземленным катодом или использование трансформатора для передачи напряжения смещения при заземленной анодной нагрузке, а также повышенное потребление тока при шуптированин открытыми транзисторами делителя ФЭУ, который ограничивается балластным сопротивлением. При большой величине балластного сопротивления требуется большой избыток напряжения питания ФЭУ.

Целью изобретения является обеспечение возможности подключения источника смещения к минусовой шине питания усилителя, уменьшение потребляемого тока и напряжения источника питания ФЭУ.

Поставленная цель достигается тем, что регулируемый делитель включен последовательно с делителем ФЭУ, а источник смещения подключен к точке нх соединения, а сопротив5 ление нагрузки ФЭУ подключено между плюсовой шиной питания усилителя и анодом

ФЭУ.

1-1а чертеже представлена схема предлагаемого фотоэлектронного устройства.

10 ФЭУ 1 с делителем напряжения 2 через регулируемый делитель 3 подключен к источнику питания ФЭУ 4. Сопротивление нагрузки 5

ФЭУ подключено к плюсовой LIIIIHc нсточнпка

6 питания усилителя. На усилитель 7 с нсточ15 ником смещения подается сигнал с анода

ФЭУ. С выхода усилителя напряжение смещения поступает на вход транзисторного регулируемого делителя.

Прп отсутствии светового потока нанряжс20 нне смещения нмсст максимальную величину.

Все транзисторы делителя 3 открыты. 11анряжсннс на делителе ФЭУ максимально н блн;ко к напряжению источника 4. Прн увслнчсннн светового потока сигнал с ФЭУ поступает

25 lа вход усилителя 7, усилитель открывается н уменьшает напряжение смещения. Последнн11 транзистор делителя 3 начинает закрываться, уменьшая напряжение на делителе ФЭУ. Прн дальнейшем увеличении светового потока на30 пряженне смещения продолжает уменьшаться

595809

Изд М 308

Подписное

Тира>к 064

Заказ 197j9

ИПО

Типография, пр. Сапунова, 2 и поочередно закрываются остальные транзисторы. Когда все транзисторы закроются, все напряжение будет падать на транзисторах делителя, а напряжение на ФЭУ будет близко к нулю. При работе с низким напряжением на

ФЭУ целесообразно анод ФЭУ через сопротивление нагрузки подключать к полюсу питания усилителя, что позволяет расширить диапазон регулировки чувствительности ФЭУ.

При малых токах делителя ФЭУ возможно параллельное включение делителя ФЭУ и регулируемого делителя без подключения динодов к транзисторам, как в прототипе. 1,поды регулируемого делителя работщот прп очсш маленьких токах, поэтому вместо стабилитронов могут использоваться крсмнисвые диоды, работающие в режиме стабилитропов, при напряжении стабилизации меньше предельно допустимого напряжения транзистора.

Фотоэлектронное устройство было испытано с ФЭУ-31, ФЭУ-60, ФЭУ-84 с сопротивлением звена делителя 100 кОм. В регулируемом делителе использовались трапзи "торы

КТ 605Б и микросхемы К1НТ6613. и диоды

J223, 2Д103 с напряжением стабилизации около 250 В. При изменении напряжения смещения от нуля до 10 В напряжение а ФЭУ изменялось от 1500 — 2000 В до ?0 B. Лвтоматическос регулирование чувствительности проверялось при изменении светового потока па фотокатоде ФЗУ IIB 8 порядков.

Формула изобретения

Фотоэлсктp011110(. . стройство, содс1)жащсс фотоэлектронный умпожитсл1. (ФЗУ) с делителем напряжения, регулируемый делитель, 10 усилитель и источник смещения, к которому через диодно-резисторныс цепочки подключены базы транзисторсв регулируемого делителя от1ич <1 10щс((ся Tc)1 что, с вельо обеспечения возможности подк;почснпя псточ15 11ик(1 o. (1(111(II IIII 1() I IIII), с())1()й Ill rill(lllrTа1111я усилителя. уменьшен:1я потребляемого тока и напряжения питания ФЭУ, регулируемый делитель включен последовательно с делителем

ФЗУ, источник смещения подключен к точке

"0 их соединения, а (опротивлснис нагрузки

ФЗУ подключено между плюсовой шиной питания усилителя и анодом ФЭУ.

Hcro rIrrlr(rr информации, принятые во внимание при экспертизе

25 1. Патент С1ПЛ ГЬ 3321629, кл. 250 †-207, опублик. 1967.

2, Авторскос свидетельство СССР М 481084, кл. Н 01J 43/00, 1973.

Фотоэлектронное устройство Фотоэлектронное устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, в частности к вторично-эмиссионным умножительным системам, используемым в многоканальных фотоэлектронных умножителях

Изобретение относится к области электротехники и к электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин

Изобретение относится к электротехнике и электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях

Изобретение относится к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП) с повышенными коэффициентом усиления, отношением сигнал/шум, разрешающей способностью и может быть использовано в производстве МКП

Изобретение относится к электронной оптике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к технике генерации мощных широкополосных электромагнитных импульсов (ЭМИ) субнаносекундного диапазона длительностей и может быть использовано при разработке соответствующих генераторов
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях
Наверх